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基于fluen软件的生物质气化过程研究 摘要：基于Fluent软件，采用组分输运模型，以水蒸气为气化剂，以氮气为等离子体工作气体，进行生物质气化过程研究。研究不同（0.3～1.2）工作气体流速与水蒸气流速比（Vn2/Vsteam）对生物质等离子体气化过程的影响，重点分析Vn2/Vsteam对残碳生成量、H2浓度分布以及炉内温度分布的影响。研究结果表明：当Vn2/Vsteam大于0.6时，合成气中不再出现残碳；当Vn2/Vsteam从0.4上升到0.8时，H 生物质气化是在特定气化剂环境下把生物质转化为主要由氢气和一氧化碳组成的合成气的技术，是目前解决能源紧缺问题的重要手段之一本研究基于Fluent软件中的组分输运模型，建立生物质等离子体固定床气化动力学模型，探讨不同工作气体流速与水蒸气流速比（Vn2/Vsteam）对残碳生成分布、H1 模型建立1.1 数学模型1.1.1 动力学模型生物质气化过程的计算流体力学模型的基本方程由质量、动量、能量以及组分运输守恒方程组成式中：1.1.2 化学反应模型生物质气化反应是一个非常复杂的热化学反应过程，普遍认为整个过程包含干燥、热解、氧化和还原4个过程。这4个过程并非完全独立生物质→挥发分+固定碳1.2 反应器结构本研究对象为固定床下吸式等离子体气化炉，如图1所示。该研究对象使用的气化剂为水蒸气，由水蒸气进口进入气化炉。等离子体工作气体为惰性气体——氮气，其进气口与水蒸气进气口对称布置，且大小相等。生物质颗粒从气化炉顶部进入。本模型使用玉米秸秆颗粒作为考察对象，其受重力作用自由下落。产生的合成气从气化炉下部排出，本文不考察灰分的影响。1.3 边界条件和求解器的设置1.3.1 边界条件进口均为速度入口，水蒸气进口速度为5 m·s1.3.2 求解器设置压力和速度的耦合采用SIMPLE算法，近壁面均设置为无滑移静止壁面，压力插值格式为Standard，物料模型采用组分输运模型，辐射模型采用P1模型，湍流模型采用Realizable k-epsilon模型。2 Vn2/Vsteam对生物质等离子体气化的影响2.1 Vn2/Vsteam对出口残碳的影响分析以气化剂进口和等离子体工作气体进口水平线所在截面为分析对象。图2是不同Vn2/Vsteam下残碳的浓度分布。可以看出，Vn2/Vsteam为0.3～0.6时，在合成气出口处有残碳出现；Vn2/Vsteam为0.7～1.2时，出口处没有残碳。由于此气化炉水蒸气进口与工作气体进口对称布置，所以两种气体在气化炉对称中心处相撞，出现气流的抬升作用，使得随重力作用自由下落的生物质颗粒在气体相撞处停留时间加长，从而使生物质颗粒完全分解成挥发分。当流速比在0.3～0.6时，气流相撞产生的抬升作用较小，生物质颗粒的停留时间较短，生物质颗粒未完全分解为挥发分，剩余的残碳颗粒会在重力作用下到合成气出口处；当流速比大于0.6时，气流相撞产生的抬升作用明显加强，生物质颗粒的停留时间增加，生物质颗粒在到达合成气出口前就被完全分解为挥发分。合成气中出现残碳不仅会降低气化效率，还会使在收集合成气时增加处理费用。2.2 Vn2/Vsteam对HCO+H2.3 Vn2/Vsteam对H图4是H3 结语本文研究了等离子体工作气体进口和气化剂进口水平对称布置时，Vn2/Vsteam对生物质等离子体气化过程的影响：(1)Vn2/Vsteam对残碳生成方面，当流速比大于0.6时，生物质基本全被分解为挥发分；(2)Vn2/Vsteam对H(3)Vn2/Vsteam对H