晶体硅太阳电池设计转换效率极限.pptxVIP

转换效率极限与太阳电池设计原理 光生电流极限一个自身能量高于带宽的光子产生一对或多对电子空穴对。能量阀值： 1.124eV 300K 1.052eV 单声子辅助吸收 0.987eV 双声子辅助吸收自由载流子吸收晶格吸收光生电流极限最大光生电流（纯硅）51.5mA/cm2，受自由载流子吸收的限制，要得到这样的电流，硅片的厚度需几米厚。对于正常厚度的太阳电池（＜1mm），光的有限吸收对电流的限制远远大于自由载流子吸收对电流的影响。n+PWB开路电压的极限两个本征的复合原理：辐射复合，俄竭复合。开路电压的极限低注入情况：少子的的浓度远低于电池内的多子浓度。在假设电池前、后表面复合速率为零的情况下，俄竭复合的极限暗电流为：开路电压的极限高注入薄电池随着掺杂浓度的降低,由俄竭复合限制的Voc将提高，掺杂浓度进一步降低使得电池进入高注入状态,此时Voc将处于由上式表示的饱和状态。开路电压的极限低注入 薄电池低注入厚电池高注入情况俄竭复合：低注入n=1 高注入辐射复合：低注入和高注入 n=1缺陷复合：低注入n=1 高注入n=2最大FF极限：高注入薄电池填充因子极限转换效率极限VOC和ISC 随电流厚度的变化趋势相反，所以对于转换效率存在着一个最佳的厚度值：80μm, 28.8%。Isc的损失表面反射损失 10%表面电极遮光损失 5~15%不能充分吸收光的能量体内复合表面复合VOC