CMOS反相器的版图设计.docVIP

实验一：CMOS反相器的版图设计 一、 实验目的 1、 创建CMO反相器的电路原理图(Schematic)、电气符号(symbol)以及版 图(layout); 2、 利用gpdk090工艺库实例化MOST; 3、 运行设计规则验证(Design Rule CheckQRC确保版图没有设计规则错误。 二、 实验要求 1、 打印出完整的CMO反相器的电路原理图以及版图； 2、 打印CMO反相器的DRC报告。 三、 实验工具 Virtuoso 四、 实验内容 1、 创建CMO反相器的电路原理图； 2、 创建CMO反相器的电气符号； 3、 创建CMO反相器的版图； 4、 对版图进行DRC验证。1、创建CMO反相器的电路原理图及电气符号图 首先创建自己的工作目录并将/home/iccad/cds.lib 复制到自己的工作目 录下（我的工作目录为 /home/iccad/iclab ），在工作目录内打开终端并打开 virtuoso（命令为 icfb ）. 在打开的icfb - log中选择tools-Library Manager, 再创建自己的库， 在当前的对话框上选择File-New-Library,创建自己的库并为自己的库命名 （我的命名为lab1 ），点击OK后在弹出的对话框中选择 Attach to an exiting techfile 并选择gpdk090_v4.6的库，此时Library manager的窗口应如图1所 示： 图1创建好的自己的库以及 inv 创建好自己的库之后，就可以开始绘制电路原理图，在 Library man ager 窗口中选中lab1，点击File-New-Cell view,将这个视图命名为inv（CMOS反相 器）。需要注意的是 Library Name 一定是自己的库，View Name是schematic, 具体如图2所示： 图2 inv 电路原理图的创建窗口 点击OK后弹出schematic editing 的对话框，就可以开始绘制反相器的电 路原理图（schematic view）。其中nmos（宽为120nm长为100nm.）与pmos（宽为 240nm,长为 100nm.）从 gpdk090_v4.6 这个库中添加，vdd 与 gnd 在 analogLib 这个库中添加,将各个原件用wire连接起来，连接好的反相器电路原理图如图 3所示: 图3 inv 的电路原理图 对电路原理图检查并保存（左边菜单栏的第一个， check and save），接下 来创建CMOS反相器的电气符号图（创建电气符号图是为了之后在其他的门电路 中更方便的绘制电路原理图）。在菜单栏中选择design-Create cellview-From cellview，在symbol editing 中编辑反相器的电气符号图，创建好的 symbol 如图4所示： 图4 inv 的电气符号图 2、创建CMO反相器的版图 接下来可以创建并绘制 CMOS反相器的版图，在Library Man ager中选择 File-new-cell view ，将 view name 改为 layout,tool 改为 virtuoso, 具体女口 图5所示： 图5 inv 版图的创建窗口 点击OK会弹出两个对话框，一个 LSW和一个layout editing 在弹出来的 layout editing中进行版图的绘制，利用快捷键‘ i 在gpdk090_v4.6选择nmos 和pmos,并将pmos摆放至nmos的上方，为方便确认各个金属或者mos管的距离 或者长度，可以使用尺子作为辅助，使用快捷键’ k画一个尺子，使得nmos 与pmos的源漏之间距离为0.6nm,如图6所示： 图6 mos管源漏之间的距离图 然后继续用尺子在nmos与pmos的正中间分别往上下延伸1.5nm,该点即为 电源轨道和地轨道的中心点，轨道的宽为 0.6nm,长为1.8nm,在LSW窗 口中选择 metal1作为电源轨道，返回layout edit ing窗口，使用快捷键’p,然后设置 金属的宽度，将其设置为0.6nm,接着在layout editing窗口中将轨道绘制出来， nmos与 pmos之间用poly金属层连接起来，pmos的源级用 metal1金属与上层的 电源轨道连接起来，nmos的源级用metal1金属与下层的电源轨道连接起来，并 在vdd电源轨道上加一个 M1_NWEL在gnd轨道上加一个 M1_PSUB放置好选中并精选 word 点击快捷钱 q, 将通孔个数改为 3 个如图 7 所示，将 columns 那一栏的 1 改为 3,pmos及以上部分用nwell包裹起来，具体的连接如图8所示: 图7 M1_NWELL的属性