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led 原资料芯片检验规范 篇一： LED_Chip_FQC检验规范 版本：R5 拟案单位：工程部／ ALLAN 目的 2. 范围 3. 内容检验测试项目 光电性检验 外观检验 数值标示检验。 本公司生产之全部 LED产品均属之。 拟定 LED CHIP FQC 检验规范。 拟定成品入库批允收程序，以保证产质量量达必然水 平。 抽样计划（片数定义：芯片片数） 依「产品检验抽样计划」 抽片执行检验。 光电特色检验（ VFH、 VFL、 IV ） （1）抽样地址：分页片边缘 4 颗，分页片内围 6 颗，平均取样。 （ 2）抽样数量：每片 10 颗。 3）每片抽样数，每一颗不良，则列一个弊端。外观检验 1） PS TYPE不良晶粒＞ 2ea／ sheet ，列入一个弊端。 （2） NS TYPE或 PS TYPE分页面积最长距离＜ cm 者， 不良晶粒＞ 5ea／ sheet ，且＞ 10 ea ／ wafer 列入一个弊端。 3）弊端项目之限样标准由制造、 FQC两单位共同制作，作为人员检验之依照。 弊端等级代字 主要弊端代字： MA（ Major ）。次要弊端代字： MI（Minor ）。 参照文件 本公司产品目录规格书 版本：R5 拟案单位：工程部／ ALLAN 研发工程产品测试分类规格 其他相关之质量文件 光电特色检验顺向电压 VFH 依特定之额定电流点测，须低于规格上限。 规格上限应参照测试分类规格及 GaP、 GaAsP、 AlGaAs 产品 T/S 前测站 作业指导书。 弊端等级： MA 顺向电压 VFL 依特定之额定电流点测，须高于规格下限，低于上限。 规格： GaP≧， GaAsP≧， AlGaAs ， IR 。 弊端等级： MI 亮度 Iv / Po 依特定之额定电流点测，须高于规格下限。 规格下限应参照测试分类规格及各产品 T/S 前测站作业指导书判断。 弊端等级： MA 外观检验﹙共同标准﹚版本：R5 拟案单位：工程部／ ALLAN 版本：R5 拟案单位：工程部／ ALLAN 版本：R5 拟案单位：工程部／ ALLAN 6. 篇二： LED检验规范 摘 要 系统地在解析 LED发光机理的基础上，阐述了 LED半导 体资料的发展历程，介绍了 LED光源的优点和几个主要的应 用途合，解析了国内外产业的发展情况，并指出 LED光源面对的几个问题。介绍了与发光二极管测试相关的术语和定义，详细介绍了测试方法和测试装置的要求。 前 言 自 1879 年爱迪生发理解炽灯以来，电光源照明已经经 历一个多世纪，这其中有三个重要的发展阶段，其代表性光 源分别是白炽灯、荧光灯和 HID（高强度气体放电）灯。白 炽灯安装使用简略，但它是热辐射光源 , 绝大部分输入电功 率都变成了红外辐射以及较大的热损失 , 落在可见光区的 辐射所占比率较小 , 所以其光效较低， 而且寿命短， 易损坏。 荧光灯的工作原理是：电流激发汞原子并使它们发出紫 外线光子，这些光子激发荧光粉发出可见光。诚然其较白炽 灯能够省电，但由于碰到紫外线变换成可见光效率的限制 , 光效提升也有限，而且存在电磁污染、使用寿命短、易碎等 弊端，其主要组成部分汞还会造成环境污染。 HID 灯光效已 经能够高出 100lm/W，但由于热导及紫外、红外等损失，光 效也很难有较大的提升， 且存在成本高、 保护困难、 寿命短、电磁辐射等问题。近几十年来，人们对于开发新照明光源的 研究和研究从未停止过。欧洲特地拟定了五年行动计划，提 出新式光源要吻合三个条件： 高效、节能；资料对环境无害；模拟自然光，显色指数凑近 100。 发光二极管（ Light Emitting Diode 简称 LED)是一种 重要的光电子器件 , 它在科学研究和工农业生产中均有特别广泛的应用 . 发光二极管虽小 , 但要正确测量它的各项光和辐射参数其实不是一件易事 . 当前在世界范围内的测试比对还有 较大的差异 . 基于此 ,CIETC2-34 小组对此进行了研究 , 所提 出的技术报告形成了 CIE127-1997 文件。 随着新一代半导体资料 AlGaAs（砷化铝镓）、 AlInGaP （磷化铝铟镓）和 AlInGaN （氮化铝铟镓）的出现和发光二 极管封装等技术的打破，单晶片红、绿、蓝、白光 LED的功 率等级不断提升，高亮度 LED有望成为第四代光源。 LED是 电光源发展的一次崭新革命和重要打破，从根本上改变了光 源发光的机理，拥有光效高、光色全、寿命长、环保、尺寸 小等优点， 能够应用在各样各样的彩色和白色照明领域。 LED 光源在提升照明质量和功能的同时，能够节约能源，改进环 境污染，有利于国计民生的友善发展。所以积极研究 LED光 源新技术，加快发展 LED照明产业拥有重