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硅光电池特性 【实验目的】 1. 了解硅光电池的基本特性。 2. 测出硅光电池的伏安特性曲线和光照特性曲线。 【实验仪器】 DH-CGOP1 光电传感器实验仪 1 套 （包括灯泡盒，硅光电池 PHC，九孔板实验箱， 2 欧姆电阻）；DH-VC3 直流恒压源 1 台；万用表 3 块； 电阻箱，导线若干 【实验原理】 硅光电池的工作原理 光电转换器件主要是利用物质的光电效应，即当物质在一定频率的照射下， 释放出光电子的现象。 当光照射金属、 金属氧化物或半导体材料的表面时， 会被 这些材料内的电子所吸收， 如果光子的能量足够大， 吸收光子后的电子可挣脱原 子的束缚而溢出材料表面， 这种电子称为光电子， 这种现象称为光电子发射， 又 称为外光电效应。 有些物质受到光照射时， 其内部原子释放电子， 但电子仍留在 物体内部，使物体的导电性增强，这种现象称为内光电效应。 光电二极管是典型的光电效应探测器， 具有量子噪声低、 响应快、使用方便 等优点，广泛用于激光探测器。外加反偏电压与结内电场方向一致，当 PN结及 其附近被光照射时，就会产生载流子（即电子 - 空穴对） 。结区内的电子- 空穴对 在势垒区电场的作用下， 电子被拉向 N 区，空穴被拉向 P 区而形成光电流。 同时 势垒区一侧一个扩展长度内的光生载流子先向势垒区扩散， 然后在势垒区电场的 作用下也参与导电。 当入射光强度变化时， 光生载流子的浓度及通过外回路的光 电流也随之发生相应的变化。 这种变化在入射光强度很大的动态范围内仍能保持 线性关系。 硅光电池是一个大面积的光电二极管， 它被设计用于把入射到它表面的光能 转化为电能， 因此，可用作光电探测器和光电池， 被广泛用于太空和野外便携式 仪器等的能源。 光电池的基本结构如图 1所示，当半导体 PN结处于零偏或负偏时，在它们的 结合面耗尽区存在一内电场。 图 1 光电池结构示意图 当没有光照射时，光电二极管相当于普通的二极管，其伏安特性是 eV eV I I ( ekT 1 ) I exp 1 s s kT （1） 式（ 1）中 I为流过二极管的总电流， Is 为反向饱和电流， e为电子电荷， k为 玻耳兹曼常量， T为工作绝对温度， V 为加在二极管两端的电压。对于外加正向 电压，I随V指数增长，称为正向电流； 当外加电压反向时， 在反向击穿电压之内， 反向饱和电流基本上是个常数。 当有光照时，入射光子将把处于介带中的束缚电子激发到导带，激发出的 电子空穴对在内电场作用下分别飘移到 N型区和 P型区，当在 PN结两端加负载时 就有一光生电流流过负载。流过 PN结两端的电流可由式（ 2 ）确定： eV kT eV I I s ( e 1) I p I s exp 1 I p kT