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从《精通开关电源设计》 整理出的 “反激变换器的设计步骤” 齐纳管吸收漏感能量的反激变换器： 0. 设计前需要确定 的参数 A 开关管 Q 的耐压值： Vmq B输入电压范围： Vinmin?Vinmax C 输出电压 Vo D电源额定输出功率：Po (或负载电流Io) E 电源效率： X F电流/磁通密度纹波率：r (取0.5，见注释C) G 工作频率： f H 最大输出电压纹波： Vopp1. 齐纳管 DZ 的稳压值 Vz Vz 2. 一次侧等效输出电压 Vor Vor = Vz / 1.4 (见注释 A) 3. 匝比 n (Np/Ns) n = Vor / (Vo + Vd) ，其中 Vd 是输出二极管 D 的正向压降， 一般取 0.5? 1V 。4. 最大占空比的理论值 Dmax Dmax = Vor / (Vor + Vinmin)，此值是转换器效率为 100%时的 理论值，用于粗略估计占空比是否合适，后面用更精确的算 法计算。 一般控制器的占空比限制 Dlim 的典型值为 70%。 上面是先试着确定 Vz ,也可以先试着确定 n,原则是n = Vin / Vo，Vin 可以取希望的工作输入电压， 然后计算出 Vor，Vz ， Dmax 等，总之这是计算的“起步”过程，根据后面计算考 虑实际情况对 n 进行调整，反复计算，可以得到比较合理的 选择。 负载电流 Io = Po / Vo,如果有多个二次绕组，可以用单一输出等效。 一次侧有效负载电流 Ior lor = Io / n ，由 lor x Np = Io x Ns 得来。7.占空比 D D = lin / (lin + lor)，其中 lin = Pin / Vin，而 Pin = Po / X。这 里 Vin 取 Vinmin 。(见注释 B)8. 二次电流斜坡中心值 Il = Io / (1 - D)9. 一次电流斜坡中心值 Ilr Ilr = Il / n10. 峰值开关电流 Ipk Ipk = (1 + 0.5 x r) x Ilr11. 伏秒数 Et Et = Vinmin x D / f ，(Et = Von x Ton = Vinmin x D/f ) 12. 一次电感 Lp Lp = Et / (Ilr x r)13. 磁芯选择 (1) Ve = 0.7 x (((2 + r)A2) / r) x (Pin / f) , Ve 单位 cmA3 ; f单位KHz，根据此式确定磁芯有效体积 Ve,寻找符合此要 求的磁芯。(见注释 D) (2 )最适合反激变压器的磁芯是“ E Cores”和“ U Cores ”, “ETD、” ER、“RM这三种用于反激性能一般， 而“Planar E”、 “EFD、” EP、“P、Ring型不适合反激变压器。 材质选锰锌铁氧体， PC40 比较常用且经济。 14. 一次 匝数 Np Np = (1 + 2/r) x (Von x D)/(2 x Bpk x Ae x f),其中 Von = Vinmin - Vq ， Vq 是开关管 Q 的导通压降； Bpk 不能 超过0.3T, —般反激变压器取 0.3T; Ae是磁芯的有效截面 积，从所选磁芯的参数中查的。(公式推导见注释 E，说明见 注释 F)15. 二次匝数 Ns Ns = Np / n，此值小数不可忽略时向上取整， 女口 1.62T取2T, 然后重新计算 Np = Ns x n 。16. 匝数调整后实际磁通密度 变化范围验证 Bpk = Bpk0 xNp0 / Np， Bpk0、 Np0 是调整前的磁通密度峰 值和一次匝数。 (根据： Bpk 与匝数成反比) dB = (2r/(r + 2)) x Bpk17. 气隙系数 z z = (1 / Lp) x (u x u0 x Ae / le) x NpA2，其中 u 是磁 芯材料的相对磁导率， Ae、 le 分别是磁芯的有效截面积和有 效长度，这些参数由磁芯手册提供， u0 是真空磁导率，值为 4 x PI x 10A(-7) 。(见注释 G)18. 气隙长度 lg Ig = le x (z - 1) / u，其中u是磁芯材料的相对磁导率。 (见 注释 G)19. 绕组导线的集肤深度 h h = 66.1 x (1 + 0.0042 x (T - 20)) / fA0.5 ，所得单位为 mm， 其中 T 是工作温度，可取 80，即最高环境温度 40 摄氏度时 可以有 40 度的温升。 20. 绕组导线的线径 d d = 2h ，若选用铜皮，则铜皮厚度同样按此计算，即 2h 。 21. 绕组导线的电流承载能力 Im Im = PI x (d/2)A2 x J,其中J是电流密度，反激变压器一 般取典型值 49