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LED芯片简述模板 LED芯片简述模板 PAGE / NUMPAGES LED芯片简述模板 KONKA 内部资料 LED 芯片原理简述 一、 LED 发光原理 1 1.1 能带发光 1 1.2 衬底与外延层的物理般配 3 1.3 日亚化专利 5 二、 LED 芯片制备与 MOCVD 6 三、国内 LED 发展状况 8 3.1 国内 LED 上游公司的成本组成纲要 9 3.2 LED 家产面对的专利竞争剖析 10 3.3 国内现有 LED 生产厂家 11 附： pn 结能级 11 一、 LED 发光原理 1.1 能带发光 下列图是白光 LED 构造图与光谱图（图片来自日亚化 11-243232） 图片中 205 是电极， 203 为导线、 202 为 GaN 芯片、 201 为 YAG 荧光粉、 204 为封装。 LED 发光步骤 ： A）电致发光： （英文 electroluminescent ，简称 EL ），经过加在芯片 pn 结两电极 （ 205 、 203 ）的电压产生电场，被电场激发的电子碰击激发态， 引起电子能级的跃 进、变化、复合致使发光或发热。 GaN 芯片发蓝光（ 202 ）。 1 KONKA 内部资料 B ）光致发光： （ photoluminescence ， PL ）光致发光，芯片发出的蓝光一部分被上 层的荧光粉（ 201）汲取，一部分穿过荧光粉从表面出射。被荧光粉汲取的光子能量经过能 量传达，发生辐射跃迁（光发射）和非辐射跃迁（发热） 。 LED 表面发光光谱如上图， 此中波长约 450nm 处蓝光来自芯片， 530~630nm 波 峰来自荧光粉光辐射。 光的汲取及发射都发生于能级之间的跃迁。下式是能带汲取与跃迁的能量公式， Eg h h c 1239.5 1 Eg 为资料带能（单位 eV）， h 为普朗克常数， c 为光速， 为波长（单位为 nm） 由上式可见，要获得蓝光发射的芯片，一定采纳能带大于 2.8eV 的资料。要获得黄光， 采纳的荧光粉资料能带也一定在 1239.5 1239.5 eV 之间。而且芯片发射的波长要比荧光 630 530 粉发射的波长短（芯片能带比荧光粉能带要宽） ，不然荧光粉没法汲取来自芯片光发射的光 能子，也就没法达成光致发光。 LED 芯片 pn 结资料属于混杂半导体资料，混杂的元素在结邻近形成势阱，使能带曲折 （详细见附录） 。 发光效率问题 当前 LED 的发光效率仅能达到 10%~20%, 其他的能量转变为热能。发光资料一般采纳 直接带隙资料， 其导带底和价带顶处于布里渊区的同一个波矢空间， 利于电子空穴的直接跃 迁复合。 非间接带隙资料因导带底和价带顶波矢空间地点不同样， 一定要靠声子 （晶格振动） 来进行跃迁复合， 发光效率比直接带隙资料小几个指数目级。 可是把间接带隙资料做成量子 （纳米级别） 资料改变能带， 发光效率能明显提升 (由参杂的 “杂质工程” 到纳米资料的 “能 带工程” )。 LED 往常经过 pn 结量子阱来提升辐射效率。典型直接带隙资料 GaN，间接带 隙资料 GaP。 减少能量对热能的变换，是提升 LED 发光效率的主要门路。辐射复合（光发射）与非 辐射复合（发热）之间的竞争决定了 LED 的内量子效率，以下式： i 1 0 p exp[ EtEL 1 Nt ] N L n KT 式中， Nt 非辐射复合中心密度； Et 非辐射复合中心能级能量； N L 辐射复合中心密 度； EL 辐射复合中心能级能量； α 0经过一个电子圈套从价带俘获一个空穴而发生的非 辐射复合概率； β 经过一个空穴发光中心俘获一个电子而发生的辐射复合概率； n、 p 2 KONKA 内部资料 自由电子和空穴浓度。 发光中心密度越大，非辐射复合中心密度越小，则内量子效率越高。所以 LED 的资料 和工艺均要防止非辐射中心如位错和深能级杂质的引入。 发热源： 电致发光及光致发光的能量变换很大一部分形成了热能。 主假如因为能量传达 消耗以及缺点捕捉能量发热。 芯片外延层的晶格缺点、 荧光粉的晶格缺点以及杂质， 形成缺 陷能级或杂质能级。 这些能级水平不足于形成光辐射， 但其能量势阱依旧会捕捉电子空穴发 生非辐射复合。所以，外延层与衬底的晶格般配度、外延层的晶体质量、荧光粉的纯度与质 量直接影响 LED 灯发热量的多少，而芯片的发热又占了主要部分。 热传导： 芯片的发热只好经过衬底和电极散热。 衬底不仅影响外延层的质量， 还对散热 至关重要。下一节将对照各衬底的好坏势。 1.2 衬底与外延层的物理般配 衬底资料直接影响外延层的质量。 外延层与衬底般配较好， 则晶格完好， 内量子效率高， 发热较少。般配不好，则缺点使晶格畸变，部分