详解TSV(硅通孔技术)封装技术.pdfVIP

详解 TSV （硅通孔技术）封装技术 硅通孔技术（ Through Silicon Via ， TSV ）技术是一项高密度封装技 术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技 术。 TSV 技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气 互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容 / 电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。 基于 TSV 技术的 3D 封装主要有以下几个方面优势： 1）更好的电气互连性能， 2 ）更宽的带宽， 3 ）更高的互连密度， 4 ）更低的功耗， 5 ）更小的尺寸， 6 ）更轻的质量。 TSV 工艺主要包括深硅刻蚀形成微孔，绝缘层 / 阻挡层/ 种子层的沉积， 深孔填充，化学机械抛光，减薄、 pad 的制备及再分布线制备等工艺技术。主 要工艺包括几个部分： （1）通孔的形成； （2 ）绝缘层、阻挡层和种子层的淀积； （3 ）铜的填充（电镀）、去除和再分布引线（ RDL ）电镀； （4 ）晶圆减薄； （5 ）晶圆／芯片对准、键合与切片。 TSV 深孔的填充技术是 3D 集成的关键技术，也是难度较大的一个环节，