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电子衍射花样与标定
材料研究方法
课程内容
一
电子衍射花样
单晶电子衍射花样产生原理图
单晶体电子衍射花样的特征
二
三
四
五
单晶体电子衍射花样的标定
多晶体的电子衍射花样
一、电子衍射花样
(a)单晶 (b)多晶 (c)非晶
图6-22电子衍射花样
(d)织构
二 、单晶电子衍射花样产生原理图
图6-23单晶体电子衍射花样产生的原理图
三、单晶体电子衍射花样的特征
若电子束的方向与晶带轴[u v w]的方向平行,衍射花样由规则的衍射斑点组成,如图6-23所示,斑点指数即为零层倒易阵面上的阵点指数(去除结构因子为零的阵点)。
图6-23单晶体电子衍射花样产生的原理图
四、单晶体电子衍射花样的标定
电子衍射花样的标定:即衍射斑点指数化,并确定衍射花样所属的晶带轴指数[uvw],对未知其结构的还包括确定点阵类型。
单晶体的电子衍射花样有简单和复杂之分,简单衍射花样即电子衍射谱满足晶带定律(hu+kv+lw=0),通常又有已知晶体结构和未知晶体结构两种情况。
1. 已知晶体结构的花样标定
1)确定中心斑点,按距离由小到大依次排列:R1、R2、R3、R4…,
各斑点之间的夹角依次为1、2、3、4…,
2)由相机常数K和得相应的晶面间距d1、d2、d3、d4…;
3)由已知的晶体结构和晶面间距公式,结合PDF卡片,分别定出对应的
晶面族指数{h1k1l1}、{h2k2l2}、{h3k3l3}、{h4k4l4}…;
标定步骤:
4)假定距中心斑点最近的斑点指数。若R1最小,设其晶面指数为{h1k1l1}晶面族中的一个,即从晶面族中任取一个(h1k1l1)作为R1的斑点指数。
5)确决定第二个斑点指数。
由晶面族{h2k2l2}中取一个(h2k2l2)代入公式计算夹角1,当计算值与实测值一致时,即可确定(h2k2l2)。当计算值与实测值不符时,则需重新选择(h2k2l2),直至相符为止,从而定出(h2k2l2)。
注意(h2k2l2)是晶面族{h2k2l2}中的一个,仍带有一定的任意性。
四、单晶体电子衍射花样的标定
四、单晶体电子衍射花样的标定
6)由确定了的两个斑点指数(h1k1l1)和(h2k2l2),通过矢量合成其它点
7)定出晶带轴。
8)系统核查各过程,算出晶格常数。
举例1已知纯镍(fcc)简单电子衍射花样(a=0.3523nm),花样见图,定谱。
四、单晶体电子衍射花样的标定
1)测出r1=13.9mm、r2=3.5mm、r3=14.25mm和夹角φ1 =82 ° ,φ2=76°
已知k=lλ=1.12mm.nm,由r=kg=k 1/d
rd=k=lλ 得d1=0.085nm,d2=0.2038nm,d3=0.0784nm.由PDF卡片得其晶面族指数分别为{331}{111}{420}.
2)任意选定晶面h2k2l2=111,由于r1+r3=r2,可得h1k1l1,h3k3l3 的可选指数有三对:-3 3 1,4 -2 0;3 -3 1,-2 4 0;-3 1 3,4 0 -2。
由夹角公式:
算出任意两个衍射斑点的夹角。核对夹角,若符合则标定正确,否则重返设定新的晶面,直至符合为止。
3)矢量法得其它各点。并由矢量叉乘得晶带轴指数,晶带轴与电子束的入射方向反向平行。
4)核查各过程,计算晶格常数。
四、单晶体电子衍射花样的标定
2. 未知晶体结构的花样标定
当晶体的点阵结构未知时,首先分析斑点的特点,确定其所属的点阵结构,然后再由前面所介绍的8步骤标定其衍射花样。如何确定其点阵结构呢?主要从斑点的对称特点(见表6-1)或1/d2值的递增规律(见表6-2)来确定。
花样标定的具体步骤:
1)判断是否简单电子衍射谱。如是则选择三个与中心斑点最近斑点:P1、
P2、P3,并与中心构成平行四边形,并测量三个斑点至中心的距离ri。
2)测量各衍射斑点间的夹角。
3)由rd=Lλ,将测的距离换算成面间距di。
4)由试样成分及处理工艺及其它分析手段,初步估计物相,并找出相应的卡片,与实验得到的di对照,得出相应的{hkl}.
5)用试探法选择一套指数,使其满足矢量叠加原理。
6)由已标定好的指数,根据ASTM卡片所提供的晶系计算相应的夹角,检验计算的夹角是否与实测的夹角相符。
7)若各斑点均已指数化,夹角关系也符合,则被鉴定的物相即为STAM卡
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