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第 第A$：耦合濾波器的功率容址分析 耦合滤波器的功率容量分析 目录 TOC \o 1-5 \h \z \o Current Document 概述 2 \o Current Document 功率容量的仿真分析 2 击穿场强的仿真分析 2 最大场强的仿真分析 2 整体模型仿真法 2 单腔本征模分析法： 2 单腔模型对比法： 3 \o Current Document 分析举例 3 第侦洪5贞 1概述 射频带通滤波器通常由多个谐振器以及相互之间的耦合构成，为了能够产生传输零点，通常需 要不相邻的两个谐振器之间的耦合，这种不相邻的耦合称作交叉耦合。本文主要介绍交叉耦合滤波 器的电路模型分析与综合方法。 2功率容量的仿真分析 滤波器输入功率越髙，内部场强越大，当内部电场强度超过击穿场强时，将引起气体电离导通, 形成短路，大功率在内部释放，产生的热虽同时使得空气温度升髙，加速气体的电离，形成恶性循 环。对于镀银的同轴腔滤波器来说，热量使得表面温度升髙，导致镀银层迅速氧化，形成氧化银黑 点O 已知击穿场强E,和1瓦功率输入时的滤波器内部最大场强Q”，从电磁原理可知，滤波器输 入功率和内部场强的平方成正比，滤波器的功率容量为： 公式1?p=亠 Eb) 2.1击穿场强分析 击穿场强E, (V/m)主要和温度7； (°C).气压 (亳米汞柱).峰值功率持续时间口(秒)、 频率