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第8章 存储器和可编程逻辑器件简介 ;复习;第8章 存储器和可编程逻辑器件简介 ;8.1 半导体存储器 ;8.1.1 随机存取存储器（RAM） ;1. RAM的结构和读写原理 　　;　　① 存储矩阵 ;　　② 地址译码器 行地址译码器：输入8位行地址码，输出256条行选择线（用x表示） 列地址译码器：输入4位列地址码，输出16条列选择线（用Y表示）; ③ 读写控制电路;　　图8-2 RAM存储矩阵的示意图 ;（2）RAM 的读写原理 （以图8－1为例） ;　　若此时R/W＝1，则执行读操作，将所选存储单元中的数据送到I/O端上。 ;　 （3）RAM的存储单元按工作原理分为： 静态存储单元：利用基本RS触发器存储信息。保存的信息不易丢失。 动态存储单元：利用MOS的栅极电容来存储信息。由于电容的容量很小，以及漏电流的存在，为了保持信息，必须定时给电容充电，通常称为刷新。 ;2. 静态读写存储器（SRAM）集成电路6264简介 ;　　表8-１ 6264的工作方式表 ;8.1.3 存储器的应用 ;　 例：将256×1的RAM扩展为 256×8的RAM。 将8块256×1的RAM的所有地址线和CS（片选线）分别对应并接在一起，而每一片的位输出作为整个RAM输出的一位。 ;256×8RAM需256×1RAM的芯片数为：;　 ⑵ 字扩展; 图8-11 RAM字扩展 ;　 (3) 字位扩展;图8-12 RAM的字位扩展 ;作业题