现代CMOS工艺基本流程.pptxVIP

现代CMOS工艺基本流程现代CMOS工艺基本流程选择衬底Silicon Epi Layer P?晶圆的选择掺杂类型（N或P）电阻率（掺杂浓度）晶向高掺杂(P+)的Si晶圆低掺杂(P?)的Si外延层~2um~725umSilicon Substrate P+热氧化热氧化形成一个SiO2薄层，厚度约20nm高温，H2O或O2气氛缓解后续步骤形成的Si3N4对Si衬底造成的应力 Pad OxideSilicon Epi Layer P?Silicon Substrate P+Si3N4淀积Si3N4淀积厚度约250nm化学气相淀积(CVD)作为后续CMP的停止层Silicon NitrideSilicon Epi Layer P-Silicon Substrate P+光刻胶成形光刻胶成形厚度约0.5~1.0um光刻胶涂敷、曝光和显影用于隔离浅槽的定义PhotoresistSilicon NitrideSilicon Epi Layer P-Silicon Substrate P+Si3N4和SiO2刻蚀Si3N4和SiO2刻蚀基于氟的反应离子刻蚀(RIE)PhotoresistSilicon NitrideSilicon Epi Layer P-Silicon Substrate P+隔离浅槽刻蚀隔离浅槽刻蚀基于氟的反应离子刻蚀(RIE)定义晶体管有源区Isolat