第7章X射线光电子能谱学.pptxVIP

第5章 X射线光电子能谱学 ;UPS X-Ray Photoelectron Spectroscopy-XPS Electron Spectroscopy for Chemical Analysis-ESCA Kai Siegbahn, Swedish, Nobel Laureate , 1981;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;对许多元素都可绘制这种二维图，例如图8是Cu的等俄歇参量线图，图中每条斜线代表一定的??。每种化合物有其特定的??，其确定可精确到0.1eV。 ;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;图10给出Al 2s光电子峰的例子，在清洁Al表面(见图10a)既可见体等离于激元，也可见表面等离子激元，Al表面氧化后(见图l0b)表面等离子激元峰消失。 ;第5章 X射线光电子能谱学;5．4 分析方法 5．4．1 定量分析 首先讨论如何描述XPS谱线的强度。设X射线束强度为I0，其特征能量为h?，入射到一个均匀的、有光滑表面的样品上。假定X射线的反射和折射可以忽略。在穿透样品时，特征X射线使i元素原子的x能级发生电离，发射出动能为(Ek)I,x的光电子。假设在光电子能够有效逃逸的样品深度内，X射线的强度不减弱，则测到的光电子流Ii,x与分析体积内的原子密度Ni成正比，并与仪器参数和样品基本材料性质成正比，即完整的表达式为;第5章 X射线光电子能谱学;经常采用灵敏度因子方法。对应i元素的特定光电子发射过程，定义原子的灵敏度因子Si为;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;5.4 分析方法 5.4.2 深度剖析 右图是Ni基片上CdTe薄膜的简单深度剖图，由图可见Te氧化了，在表面附近Cd优先富集，而Te则大多呈TeO2形式。随深度增加，TeO2迅速消失。 ;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;第5章 X射线光电子能谱学;7.5 应用 7.5.1 铜合金表面钝化层的分析 首先分析未经处理的Cu合金(Cu92Al6Sn2)。图13a是表面经溅射2min清洗前后XPS谱中扩展的Cu 2p双线．前后两个谱很相似，不同的只是本底高低。表面污染层的存在使高束缚能一边的本底信号明显增加(A谱)．由Cu2p谱可以排除CuO(二价)的存在，但不能分辨Cu2O(一价)和Cu(零价)，因为两者的光电子束缚能租接近，如2p3／2的Eb约为932.2eV。;7.5 应用 7.5.1 铜合金表面钝化层的分析 用图13b的Cu(L3VV)俄歇谱可弥补上述不足．对比此图中A、B两个谱可见存在两种状态，其俄歇电子动能分别为916.6eV和919.1eV，即对应于Cu2O和Cu的化学态．可见合金表面最外层为Cu2O，溅射后得到金属Cu． ;5.5 应用 5.5.1 铜合金表面钝化层的分析 经电化学处理后，收取的Cu 2p谱与图13a非常相似，但是L3VV俄歇谱随溅射时间的变化表明，表面大部分是Cu2O，说明抗腐蚀的主要原因是Cu2O的存在．右图是电化学处理后Cu合金的Cu(L3VV)俄歌谱，