微电子学概论课件.pptx

Part 1;2;3;4;5;6;7;8;9;10;11;12;13;14;15;16;17;18;19;20;21;22;23;24;25;26;27;28;Part 4;固体材料：超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106~104(?cm)-1 半导体: 104~10-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1;2. 半导体中的载流子：能够导电的自由粒子;电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位;价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差;半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子，但与真空中的自由粒子不同，考虑了晶格作用后的等效粒子 有效质量可正、可负，取决于与晶格的作用;施主和受主浓度：ND、NA;本征载流子浓度： n=p=ni np=ni2 ni与禁带宽度和温度有关;多子：多数载流子 n型半导体：电子 p型半导体：空穴 少子：少数载流子 n型半导体：空穴 p型半导体：电子;8. 过剩载流子;影响迁移率的因素： 有效质量 平均弛豫时间（散射〕;Part 5半导体物理学;微电子学研究领域;固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体;晶体结构;晶体结构;固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体;半导体的能带;有效质量的意义;与理想情况的偏离;间隙式杂质、替位式杂质;间隙式杂质、替位式杂质;;;;;;;本征半导体载流子浓度;;热运动;热运动;散射的原因;由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子，也称为非平衡载流子;小注入条件;非平衡载流子寿命;复合;PN结杂质分布;反向击穿;Part 6 半导体的导电性;;散射的原因;平衡载流子;由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子，也称为非平衡载流子;小注入条件; ;PN结杂质分布;6. PN结击穿;雪崩击穿 ;在高电场下耗尽区的共价键断裂产生电子和空穴，即有些价电子通过量子力学的隧道效应从价带转移到导带，从而形成反向隧道电流。 属于非破坏性可逆击穿。 隧道击穿机制用于描述具有低击穿电压的结。 如硅PN 结，VB 4.5 V 雪崩击穿机制适用于在高电压下击穿的结， 如硅PN 结，VB 6.7 V ; 热击穿 热损耗 ? 局部升温 ? 电流增加 属于破坏性不可逆击穿 ;Part 7 集成电路制造工艺;集成电路设计与制造的主要流程框架;集成电路制造工艺;图形转换：光刻;正胶：曝光后可溶 负胶：曝光后不可溶;图形转换：光刻;图形转换：光刻;图形转换：刻蚀技术;图形转换：刻蚀技术;干法刻蚀;扩散与离子注入;扩 散;离子注入;退 火;集成电路工艺;图形曝光与刻蚀;光刻机;;;电子束抗蚀剂;;刻蚀机制、等离子体探测与终点的控制