制绒原理及工艺.pptVIP

主要内容 多晶 单晶 制绒的目的 去磷硅工艺 制绒原理及工艺 清洗工序注意事项 第二十八页 工艺参数不能随便的修改。 各班班长应在交接班时检查每个工艺参数，如发现工艺参数有修改，应询问上个班的班长或技术员。 工艺参数 第二十九页 硅片尺寸检查 第三十页 上片过程中如发现有油污片、发亮片、微晶片（片源有“微晶片”说明的除外）等异常情况，需挑出并告知工艺员。 将缺角、隐裂等不合格硅片挑出，退库。 每放1500片时需更换手套，出入车间时需换手套。 上料检验 第三十一页 先将硅片分成扇形状，再一片片的取下插入小花篮中，注意轻拿轻放。 插片 第三十二页 注意： 安全 补水量及槽内的清洁 需按照工艺文件配液，严禁私自配液。 配液 第三十三页 注意安全： 需按照工艺文件的要求配液，严禁私自配液。 补液 第三十四页 第一页 捕获更多的光子 消除表面污染 去除损伤 制绒的目的 第二页 原始硅片阳光吸收图 制绒后阳光吸收图 Safter = 1.732*Sbefore Rafter ~ 13 % (Rbefore ~ 28 % ) 增加光子吸收 第三页 硅片切割后清洗工艺中的有机物沾污； 硅片表面的碳沾污； 硅片切割时润滑剂的粘污。如果润滑剂过粘，会出现无法有效进入刀口的现象，如润滑剂过稀则冷却效果不好。这些润滑剂在高温下有可能碳化粘附在硅片表面。 去除表面沾污 第四页 （一）硅锭的铸造过程 单晶硅 多晶硅 硅片表面的机械损伤层 第五页 （二）多线切割 硅片表面的机械损伤层 第六页 （三）机械损伤层 硅片 机械损伤层（10微米） 硅片表面的机械损伤层 第七页 有机溶剂腐蚀：TMAH（四甲基氢氧化氨） 无机溶剂腐蚀：KOH/NaOH+IPA/乙醇溶液、酸溶液等 新方法：腐蚀液＋超声 有利于获得更均匀更小的金字塔 等离子体刻蚀 等离子体法刻蚀形貌图 制绒方法归纳 第八页 主要内容 多晶 单晶 制绒的目的 去磷硅工艺 制绒原理及工艺 清洗工序注意事项 第九页 左图中蓝色线为抛光后的Si的反射图，经过不同织构化处理之后的反射图。 右图为在织构后再沉积SiNx:H薄膜的反射光谱图。 C.J.J. Tool , Presented at the 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Barcelona, Spain, 6-10 June 2005 很好的织构化可以加强减反射膜的效果 好的织构化的效果 第十页 绒面产生的原理 第十一页 1、水分子的屏蔽效应（screening effect）阻挡了硅原子与OH根离子的作用，而水分子的屏蔽效应又以原子排列密度越高越明显。 2、在{111}晶面族上，每个硅原子具有三个共价健与晶面内部的原子健结及一个裸露于晶格外面的悬挂健，{100}晶面族每一个硅原子具有两个共价健及两个悬挂健，当刻蚀反应进行时，刻蚀液中的OH－会跟悬挂健健结而形成刻蚀，所以晶格上的单位面积悬挂健越多，会造成表面的化学反应自然增快。 图3 悬挂健对反应的影响 {111} {100} Si+2NaOH+H2O==Na2SiO3+2H2 各向异性的原因 第十二页 布满整个硅片表面 小而均匀 怎样是“好”的绒面 第十三页 主要内容 多晶 单晶 制绒的目的 去磷硅工艺 制绒原理及工艺 清洗工序注意事项 第十四页 硅片清洗 制绒 扩散 制结 等离子 刻蚀 去磷硅 玻璃 减反射膜制备 PECVD 丝网 印刷 检测分级 烧结 电池片生产流程 第十五页 去除硅片表面的污染物； 在硅片表面腐蚀出绒面； 络合硅片表面沾污的金属离子。 多晶制绒的目的 第十六页 多晶制绒的效果 第十七页 链式多晶制绒 第十八页 多晶晶粒取向不一致，其表面的各向异性碱腐蚀并不能有效地降低光损失。 同时由于碱和各晶面反应速度不一致，容易在晶粒之间形成台阶，不利于后续的印刷工艺。 机械刻槽、反应离子刻蚀以及光刻技术等方法，成本较高，难以大规模量产。而同性酸腐蚀法成本低，工艺简单，更适合工业化生产。 为什么用酸腐蚀 第十九页 多晶硅片表面的孔状绒面 第二十页 刻蚀槽：HF-HNO3溶液，去除表面油污、切割损伤层以及制 备绒面； 大致的刻蚀机制是HNO3腐蚀，在硅片表面形成一层SiO2,然后这层SiO2在HF酸的作用下除去。 酸与硅的反应可以看成是局部的电化学过程，在反应发生的地方形成了阴极和阳极，阳极是硅的溶解反应，阴极是HNO3的消耗反应。 阳极：Si+2H2O+nh+ = SiO2+4H++(4-n)e- 阴极：SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O 总反应式：3Si+4HNO3+18HF=H2SiF6+2H