模拟电子技术试卷和答案.pdfVIP

《模拟电子技术》试卷 一. 填空题 ( 每空 1 分, 共 30 分 ) 1．P 型半导体掺入 三 价元素，多子是 自由电子 ，少子是 空 穴 。 2．PN 结主要特性是具有单向导电性 ，即正 导通，反向 截止 。 3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结 反向偏 置 。 4．在模拟放大电路中， 三极管一般工作在输出特性的 放大 区；在 数字电路中三极管一般工作在 截止 区或 饱和 区，此时也称它工作 在 开关 状态。 5．幅度失真和相位失真统称为 频率 失真，它属于 线性 失真。 6．功率放大电路的主要作用是 向负载上提供足够大的输 出功率 ， 乙类 功率放大电路的效率最高。 7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入 a （a.直流负反馈， b. 交流负反馈）。 8．三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电路 、 比较电 路 和 调整电路 四大环节组成。 9．分压式偏置电路具有 稳定静态工作点 作用，其原理是 构成 电压串联 负反馈。 10．集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个 输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出 端 同相 ；后者的极性同输出端 反相 。 11．根据 MOS 管导电沟道的类型，可分为 PMOS 和 NMOS 型。 二、单项选择题 （每题2 分，共 20 分，将答案填在下表中） 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 C D A B 1．常温下，硅二极管的开启电压约 ______V ，导通后在较大电流下的正向 压降约 ______V；锗二极管的开启电压约 ______V ，导通后在较大电流下的 正向压降约 ______V 。C A) 0.3 ，0.5，0.5，0.7 B) 0.5 ，0.7，0.3，0.5 C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3 ，0.5，0.1，0.2 2．下图中的 3 种特性曲线， 依次属于哪种场效应管？正确的说法是 （ D ） A) P 沟道耗尽型 MOSFET ；N 沟道结型； N 沟道增强型 MOSFET B) P 沟道耗尽型 MOSFET ；N 沟道增强型 MOSFET ；结型 N 沟道耗尽型 C) N 沟道耗尽型 MOSFET ；N 沟道结型； N 沟道增强型 MOSFET D) N 沟道耗尽型 MOSFET ；N 沟道增强型 MOSFET ； N 沟道结型 3．在共射基本放大电路中，当 β一定时，在一定范围内增大