半导体器件物理-习题答案-孟庆巨.docx

8半导体 8半导体3S件物理学习与考研揃导 8半导体 8半导体3S件物理学习与考研揃导 1.2习题解答 1-1设晶格常数为?的一维晶体，导带极小值附近能量为 民⑹=攀+盹一研 3m m 价带极大值附近的能量为 —站需 式中TR为自由电广质童—令0 = ￡14人试求: 禁带宽度； ° 导带底电子的有效质凰； 价带顶空穴的有效质SL 解 (I)禁带宽度 d￡c _ 2^fc亠2胪(无一上1〕 dfc 3m 4*1 所以 Gm 厂 护妤解肿_ h2kl _ E曜=瓦w 秋=石亍-而T =面_ 48“ (6 62 x 1034)2 . h2 —48 x 9.1 X 10-29 x (3.14 x IO8)2 x 16 x 10-19 ⑵导带底电子有效质凰 0.64@V) d2Ec _ 2h2 2胪 _ 逼 dM 3m + m 3 m 第 第1章半导体物理基础9 口 第 第1章半导体物理基础9 口 d2i?v 6ft d2i?v 6ft2 dfc2 m 所以 (3)价带空穴有效质量 所以 护护瓦_ m 叫丽v冠 2在一维情况下，求解下列问题. 利用周期性边界条件证明：表示独立状态的k值数目等于晶体的原胞数. 设电子能量为E=h2k2/(2m*)1并考虑到电子的自旋可以有两种不同的取 向，试证明在单位长度的晶体中，单位能星间隔的状态数为N⑻-(聞訂朋 矿1/2 解⑴根据Bloch罡理 讽无+ L)=占佃+匕)畑(龙+ L) =￡毗』%k3) 周期性边界条件要求 讽乂 + ￡}=妙(①)=eifcaDUlc(2!) 所以 即 亦即 在第?一布里渊区 则 即 第 第1章半导体物理基础H 口 W半导体器件物理学习与考研指导 也就是说，表示独立状态的k值数目在第一布里渊区取N个分立值「N是晶 体的原胞数(若考虑电子的自旋I k取2N个值). (2)方法一 能就极小值位于k = 0,能量为0 ~ E(fc)的电子态的液矢量都在一维k空间 长度为k的范围内因此,k空间单位长度晶体内的状态数为 AS =拾=迟耳￡一*2 AS =拾 =迟耳￡一*2 h 方法二 N 2jt ￡ =空 2瞎 2m* jE 由于总状态数不变，即 N(屈毗=N(E)dE 所以单位长度晶体中 2 1N(E)dE = N(k)dk = 2 1 N(E)dE = N(k)dk = 2 所以 3设硅晶体电子中电子的纵向有效质量为mh横向有效质量为mtl则： (1)如果外加电场沿Jioo］方向，试分别写出在［1叫 和［001］方向能谷中电子 的加速度； ⑵如果外加电场沿(U0J方向,试求出［100］方向能谷中电子的加速度和电场 之间的夹角. 解 ⑴令能.量极小值附近的等能面的三个主轴分别沿［100］. J010］和［001］方 瓯各轴上的单位矢量分别用%灼畑表养［100］和［001］轴上有效质量张鼠分 量分别为= mimv = mz = 和叫—mx = mtf = mi，外加电场沿卩㈣ 方向即￡ = S 电子受到的电场力Fx二-q馭片== 0.于是： ［100］方向能谷中电子的加速度为 旳01］方向能眷中电子的加速度为 ⑵外加电场沿Uio］方向，电场力为 ［100；方向能谷中电子的加速度为 —— ,2 —— , 2 m\ 如习题1-3插图所示，加速度与电场之间的夹角二。十昭2亠兀/4?其中 4设导带底在布里渊区中心，导带底瓦附近的电子能屋可以表示为E閃= 忑+护炉九2机式中，叱是电子的有效质量.试在二维和三维两种惰况F 分别求出导带附近的状态密度 12半导体器件物理学习与考研指寻解 12半导体器件物理学习与考研指寻 解二维情况” 方法一 能储在民至E（k）范围内的电子态的波矢量都包含在k空间面积 为兀炉的圆内，因此，单位面积晶体内k空间状态数为 A2jfe2 由胆21融有 2陀 2陀(E-凤) 代入式（1）,得到能虽E表示的状态数为 2 4*E - Ej 4兀陀（E-瓦） （甌）2 胪 一 胪 对E求导得 N(E) =警 方法二由 网=E° + ￡咤 得到 dE - ^nkdk h 2 吨(E-EJW h 单位面积晶体中，半径为k和k + dk两圆环之间的状态数为 2 “上”匕叱? - EJ* ㈣样血= h2 dh 于是 N(E)dE = L记 _ 耳)dE N(E)=5忖耳) 三维情况. 方法一 能量在耳至E（切范围内的电子态的波矢量都包含在fc空间面积 为號炉的球内，因此’单位面积晶体内fc空闾状态数为 口 口 J4 半导体器件物理学习与考研描导 口 口 J4 半导体器件物理学习与考研描导 第丄章半导体物理基础 第丄章半导体物理基础13 ft2t2 ft2t2 e心f 于是用能童E表示的状态数为 2 4九詔 — (2町2 3 L 祁 8n.[2m：(