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1. 自对准技术：
自对准工艺是先在生长有栅氧化膜的硅单晶片上淀积一层多晶硅，然后在
多晶硅上刻蚀出两个扩散窗口，杂质经窗口热扩散到硅单晶片内，形成源和漏
扩散区，同时形成导电的多晶硅栅电极，其位置自动与源和漏的位置对准。按
照这种自对准工艺，栅与源和漏的覆盖由杂质侧向扩散完成，比铝栅工艺的覆
盖电容要小很多。采用离子注入掺杂工艺的杂质侧向扩散更小，用它代替硅栅
工艺中的热扩散工艺，能进一步减小栅对源和漏的覆盖电容。此外，在铝栅工
艺中，即使铝栅电极比沟道短，也可增加一步离子注入工艺填充栅区旁的未衔
接部分，实现自对准，借以减小寄生电容，可提高
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