集成电路制造工艺流程介绍.pptxVIP

第一章 集成电路制造工艺流程;1.无生产线集成电路设计技术;2. 代客户加工（代工）方式;3. PDK文件;4. 电路设计和电路仿真;5. 掩模与流片; 代工（Foundry）厂家很多，如： 无锡上华（0.6/0.5 ?mCOS和4 ?mBiCMOS工艺) 上海先进半导体公司(1 ?mCOS工艺) 首钢NEC(1.2/0.18 ?mCOS工艺) 上海华虹NEC(0.35 ?mCOS工艺) 上海中芯国际(8英寸晶圆0.25/0.18 ?mCOS工艺);8;7.境外代工厂家一览表;FF(Fabless and Foundry)模式 工业发达国家通过组织无生产线IC设计的芯片计划来促进集成电路设计的专业发展、人才培养、技术研究和中小企业产品开发，而取得成效。 这种芯片工程通常由大学或研究所作为龙头单位负责人员培训、技术指导、版图汇总、组织芯片的工艺实现，性能测试和封装。大学教师、研究生、研究机构、中小企业作为工程受益群体，自愿参加，并付一定费用。;11;多项目晶圆MPW（multi-project wafer)技术服务是一种国际科研和大学计划的流行方式。 MPW技术把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片（Macro-Chip）上然后以步进的方式排列到一到多个晶圆上，制版和硅片加工费用由几十种芯片分担，极大地降低芯片研制成本，在一个晶圆上可以通过变换版图数据交替布置多种宏芯片。;代工单位与其他单位关系图;集成电路制造工艺分类;§1-1 双极集成电路典型的PN结隔离工艺; 思考题; 双极集成电路的基本制造工艺，可以粗略的分为两类：一类为在元器件间要做隔离区。隔离的方法有多种，如PN结隔离，全介质隔离及PN结-介质混合隔离等。另一类为器件间的自然隔离。;1.1.1典型PN结隔离工艺流程;1.1.1 工艺流程;;1.1.1 工艺流程（续2）;1.1.1 工艺流程（续3）;1.1.1 工艺流程（续4）;1.1.1 工艺流程（续5）;1.1.1 工艺流程（续6）;;1.1.3 外延层电极的引出;1.1.4 埋层的作用;1.1.5 隔离的实现;1.1.6 练习;§1.2 N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺; 思考题;33;34;1.2.1 N阱硅栅CMOS工艺主要流程 （ 参考P阱硅栅CMOS工艺流程）;1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程1.衬底准备;;;;;;;;;;;;;;1.2.4 局部氧化的作用;1.2.5 硅栅自对准的作用;1.2.6 MOS管衬底电极的引出;1.2.7 LDD注入 ;1.2.8 接触孔掺杂 ;1.2.9 其它MOS工艺简介;1.2.10 练习;§1.3其它集成电路制造工艺简介;1.3.1 双层多晶、多层金属CMOS工艺;1.3.2 双极型模拟集成电路工艺;1.3.3 Bi CMOS工艺; 双极型工艺与MOS工艺相结合，双极型器件与MOS型器件共存，适合数/模电路。 1.以双极型工艺为基础的Bi-MOS工艺 2.以CMOS工艺为基础的Bi-MOS工艺;