LED芯片及其制备应用.pptxVIP

LED芯片及其制备;四、LED芯片的制备及应用;一、 半导体材料;不是所有的半导体材料都能发光，半导体材料分为直接带隙材料和间接带隙材料，只有直接带隙材料才能发光。;间接带隙材料 电子不能在导带带底垂直跃迁到价带带顶，它在导带和价带中的动量不相等，这种间接带隙材料很难发光，即便能发光，效率也很低。 因此必须有另一粒子参与后使动量相等，这个粒子的能量为Ep，动量为kp。;LED芯片又称LED芯片，英文叫做CHIP，它是制作LED器件的主要材料，由磷化鎵（GaP），鎵铝砷（GaAlAs），或砷??鎵（GaAs），氮化鎵（GaN）等材质组成，其内部结构为一个PN结，具有单向导电性。;芯片按发光亮度分类可分为： ☆ 一般亮度：R(红色GAaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、 G ( 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/GaP 635nm )等； ☆ 高亮度：VG (较亮绿色GaP 565nm )、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 较亮红色GaA/AS 660nm )； ☆ 超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。;各单色纯芯片发光的LED;芯片按组成元素可分为： ☆ 二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等； ☆ 三元晶片(磷﹑镓 ﹑砷)：SR(较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮红色GaAlAs 660nm)、UR(最亮红色GaAlAs 660nm)等；;借此可以控制LED所发出的光的波长，也就是光谱或颜色。 目前广泛使用的有红、绿、蓝三种。 LED工作电压低(仅1.5~3V)，能主动发光且有一定亮度，亮度又能用电压(或电流)调节。;1. LPE： 液相磊晶法 GaP/GaP； VPE： 气相磊晶法 GaAsP/GaAs； MOVPE：有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN；;三、LED芯片用衬底材料;优点：生产技术成熟，器件质量较好，稳定性很好；机械强度高，易于处理和清洗。 存在的问题：晶格失配和热应力失配，会在外延层中产生大量缺陷；蓝塞石是一种绝缘体，在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少；增加了工艺过程，制作成本高。;电流可以纵向流动（V接触），因此增大了LED的发光面积，从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。;V型电极芯片结构通常为单电极结构；L型电极的芯片结构通常为双电极结构。;碳化硅衬底(CREE公司专门采用SiC材料作为衬底)的LED芯片，电极是V型电极，电流是纵向流动的。 采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。碳化硅的热导率为490 W/(m·K)，要比蓝宝石衬底高出10倍以上。;衬底与外延膜的结构匹配 衬底与外延膜的热膨胀系数匹配 衬底与外延膜的化学稳定性匹配 材料制备的难易程度及成本的高低;半导体单晶生长及衬底片加工;原料—长晶—定向—掏棒—滚磨—晶棒—定向—切片—研磨—倒角—抛光—清洗—基片;通过对高纯原料熔融、化合物单晶生长、切割、磨片、抛光、真空包装等工艺，制成外延生长用衬底片。包括单晶生长炉、抛光机 、变频行星式球磨机 、晶体切割机等;基本工艺流程;四、LED芯片的制备及应用;P、N极的分离表现为元素掺杂度的不同;依制程的不同，可分为LPE(液相磊晶)、MOCVD(有机金属气相磊晶)及MBE(分子束磊晶)。 LPE的技术较低，主要用于一般的发光二极管 MBE的技术层次较高，容易成长极薄的磊晶，且纯度高，平整性好，但量产能力低，磊晶成长速度慢。 MOCVD除了纯度高，平整性好外，量产能力及磊晶成长速度亦较MBE为快，所以现在大都以MOCVD来生产。;MOCVD;双气流MOCVD生长GaN装置;MOCVD 英国Thomas Swan公司制造，具有世界先进水平的商用金属有机源汽相外延(MOCVD)材料生长系统，可用于制备以GaN为代表的第三代半导体材料;外延片;为什么有个缺口呢？;;外延片;掩膜板;曝光原理图;手动曝光机;显影后的图形;掩膜板;显影后的图形;蒸发原理图;贴膜;划片;为了更好的把圆片裂开，需要让激光打在管芯轨道的中央位置，调节激光的焦距，使激光聚焦在片子上表面，激光的划痕深度尽量在25-30um。;倒膜;裂 片 设 备;扩膜;测试分拣