LED封装物料介绍.pptxVIP

LED封装物料;目录;一，LED基本概念;2.LED种类 LED大致可分为Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED、EMC-LED、COB-LED、Flip Chip-LED等。 ;二，LED封装所用物料;1.基板;;陶瓷板 陶瓷散热基板材料分类： AL2O3或ALN陶瓷 基板 陶瓷散热基板工艺分类： ▲ LTCC又称为低温共烧多层陶瓷基板 ▲ HTCC又称为高温共烧多层陶瓷 ▲ DBC直接接合铜基板 ▲ DPC直接镀铜基板 陶瓷散热基板特性比较-热传导率 LTCC为降低其烧结温度而添加了30%～50%的玻璃材料，使其热传导率降至2～ 3W/m?K左右； HTCC因其普遍共烧温度略低于纯Al2O3基板之烧结温度，而使其因材料密度较低 使得热传导系数低Al2O3基板约在16～17W/m?K之间。 DBC DPC略 ;2.支架 支架分为1W大功率支架，LAMP支架和SMD支架 ;lamp-LED支架支架材质支架一般分为碗杯型、平头型和特殊型,其材质为通常为铁材,根据需要可选择铜材.支架厚度通常为0.5mm,支架外部电镀Ag/Cu/Ni/或Sn等物质.支架电镀支架电镀可分为半镀和全镀,半镀是电镀支架上Bar下约2mm以上区域, 全镀为整个支架电镀. 半镀可节省支架成本,目前使用的2002系列支架大部分为半镀支架.一般电镀厚度在60″支架的保存支架应有常温下密封保存,当支架表面变色时,要停止使用. ;lamp-LED支架类型 特点:可做两或三晶片LED.可共阴极或共阳极;食人鱼支架;SMD;DBC高绝缘性的Al2O3 或AlN 陶瓷支架的单面或双面覆上铜金属后，经由高温1065~1085℃的环境加热，使铜金属因高温氧化、扩散与Al2O3 材质产生(Eutectic) 共晶熔体，使铜金与陶瓷支架黏合，形成陶瓷复合金属支架，最后依据线路设计，以蚀刻方式备制线路;DPC 技术则是利用直接披覆技术，将Cu 沉积于Al2O3 支架之上，其制程结合材料与薄膜制程技术，其产品为近年最普遍使用的陶瓷散热支架。 ;DPC 的制程温度仅需250~350℃左右的温度即可完成散热支架的制作，完全避免了高温对于材料所造成的破坏或尺寸变异的现象，也排除了制造成本费用高的问题。 DPC 则是采用的薄膜制程制作，利用了真空镀膜、黄光微影制程制作线路， 使支架上的线路能够更加精确，表面平整度高，再利用电镀/电??学镀沉积方式增加线路的厚度，DPC 金属线路厚度可依产品实际需求(金属厚度与线路解析度) 而设计。解析度在金属线路深宽比为1:1 的原则下约在10~50um 之间。因此，DPC 杜绝了LTCC/HTCC 的烧结收缩比例及厚膜制程的网版张网问题。 线路高精准度与高表面平整度的的特性，非常适用于覆晶/共晶接合方式的制程，能够大幅减少LED 产品的导线截陎积，进而提升散热的效率。 然而其材料控制与制程技术整合能力要求较高，这使得跨入DPC 产业并能稳定生产的技术门槛相对较高。;金线：电导率大、耐腐蚀、韧性好，最大优点是抗氧化，常用键合线 金银合金线：适用于LED直插和SMD产品封装焊线 镀钯铜线：适用于LED直插和集成电路封装焊线 铜线：高纯铜,适用于功率器件封装焊线，价格金线10%-30%,电导热导 机械性能，焊点可靠性大于金 铝线：多半用在功率型组件的封装, 线径较粗有5mil ~ 20mil ，在 分立器件上因为功率的原因也会长期占据市场;铜线失效模式： 1. 铜容易被氧化，键合工艺不稳定 2. 硬度、屈服强度等物理参数高于金和铝，键合需要更大的超声能量和键合压力，硅芯片造成损伤 铝线失效模式： 1. 断颈，基板松动不稳，夹具不良 2. 芯片漏电，线尾过长 3. 虚焊，脱焊，电极氧化不良 4. 打线后芯片破损，芯片问题，机台压力设置 ;金线与铝线的性能对比 一：电学性能，导电性。 金在20℃时为4.55ohm^-1，而铝的为3.65ohm^-1，金的导电性较高表示相同直径下的线可以输送更多的电流，电阻率则相反，对于电流的迟滞效应较不明显，利于电荷输送。 二：热学性能，热传导系数比较。 金的热传导系数为317 铝的热传导系数为237 另外金的受热膨胀系数为14.2，铝 的23.1，受热之后铝的膨胀最为明显。 三：机械性能 TS（Tensile Strength,抗张强度），金在每平方公厘可以抗张强最多220N的强度，铝最多200，在打线时，因为打线机会对线材做出拉动looping的动作，如果张强度不够容易造成断线。 四：化学属性 铝是活泼金属，在干燥空气中铝的表面立即形成厚约50