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测试FF-BASIC-DEMO 开发板的PMOS 驱动电路 YJGQDD 2020-5-6 1：电路分析 简化： 上图Q6,Q4,Q5 和R12,R15,R16 组成PMOS 的驱动电路。（NCE4606 为SOP-8 封装的集成 了NMOS+PMOS 的MOS 管）。 Q6+R12+R15 为电平转换用，把0-5V （或0-3.3V ）的PWM 信号转换为Vin 到（Vin-Vgs ） 电压。 Q4 和 Q5 组成图腾柱结构，把经过电平转换后没有驱动能力的信号通过三极管放大后 驱动后面的MOS 管。让波形的上升沿和下降沿都在MOS 管允许的开关损耗范围内。 PMOS 的驱动电平为-0.6V 到-[R12/(R12+R15)*Vin-0.6]V 。（0.6V 为三极管的Vbe 电压带来 的电压损失）。上图+12V 的电源符号为Vin ，实际输入电压可以为12V 到30V 电压。针对具 体输入电压的应用，可以通过调整R12，R15 的阻值可以产生-12V 的电压驱动PMOS 管。 2：开关波形测试 FF-BASIC-DEMO 开发板设置驱动频率为 30KHz,死区寄存器为8 （死区时间为0.5us ）。直 流稳压电源输出电压24V ，电流限流100mA。 1》开发板上默认硬件参数测试：(NMOS 和PMOS 组成半桥模式交替开关) 开发板整体输入电流19mA。上升沿116ns，下降沿56ns 2》PMOS 并联10nF 电容，模拟大电流的PMOS 管的节电容Ciss （原NCE4606 的PMOS 的 Ciss=520pF ） 开发板整体输入电流23mA。上升沿550ns，下降沿224ns 3》Q6 的2N7002 使用MMBT3904 代替）。板子的空载电流直接大于限流的100mA。NMOS 和PMOS 有直通的现象，只能拔掉NMOS 的驱动信号跳线帽，让NMOS 一直关断，PMOS 正常开关才能继续测试： 使用示波器观察Q6 处的MMBT3904 的输入波形和输出波形，发现三极管的关断存在一 个延时。三极管基极的限流电阻越小，延时越小。当三极管关断延时大于死区时间时，NMOS 和PMOS 直通。 上图绿色的为三极管的输入信号，红色为PMOS 的驱动信号。 MMBT3904 串联电阻：关断延时 10K 1.72us 1K 1.16us 240R 760ns 可以看到就算串联240R 的基极电阻，关断延时还是大于死区时间，造成NMOS 和PMOS 直通。 对于原来Q6 为2N7002 时的输入和输出信号： 可以看到关断和导通延时都在100ns 以内。 在只开关PMOS 的情况下继续使用Q6 为MMBT3906 测试驱动NCE4606 的PMOS 的驱动 波形 上升沿为114ns，下降沿为52ns 。 4 》在只开关PMOS 的情况下使用Q6 为MMBT3906 测试驱动NCE4606 的PMOS 并10n 电容的驱动波形 上升沿550ns，下降沿212ns 4 》测量 Q4 ，Q5 为 MMBT3904+MMBT3906 组成的图腾柱驱动 PMOS 时图腾柱的输入（红 色）和输出（绿色）波形。 可以看到图腾柱的输入输出波形上升下降基本一致，只是输出波形相对输入波形电压损 失了0.6V 。下图就是PMOS 关断电压为-0.6V. 5》测量Q4 ，Q5 为2N7002+MMBT3906 组成的图腾柱驱动PMOS 时图腾柱的输出 （红色） 和输入电压 （绿色）波形。（只是把MMBT3904 换成2N7002 测试） 可以看到图腾柱的2N7002 导通后，2N7002 的Vgs 电压会稍微大些，产生了下图蓝圈中 的斜面（导致开始关断时PMOS 的关断电压比后面的-1.5V 还要大些。稳定后 PMOS 关 断电压为-1.5V 。（对比三极管MMBT3906 在导通后就没有