【报告】半导体激光器实验报告.docxVIP

试验 13 半导体激光器试验 【试验目的】 通过试验熟识半导体激光器的电学特性、光学特性； |精. |品. |可. |编. |辑. |学. |习. |资. |料. * | * | * | * | |欢. |迎. |下. |载. 把握半导体激光器耦合、准直等光路的调剂； 依据半导体激光器的光学特性考察其在光电子技术方面的应用； 把握 WGD -6 光学多道分析器的使用 【仪器用具】 半导体激光器与可调电源、 WGD-6 型光学多道分析器、可旋转偏振片、旋转台、多功能光学升降台、光功率指示仪 【试验原理】 1、半导体激光器的基本结构 半导体激光器的全称为半导体结型二极管激光器， 也称激光二极管， 激光二极管的英文名称为 laser diode ，缩写为 LD；大多数半导体激光器用的是 GaAs 或 GaAlAs 材料； P-N 结激光器的基本结构和基本原理如图 13-1 所示， P-N 结通常在 N 型衬底上生长 P 型层而形成；在 P 区和 N 区都要制作欧姆接触，使鼓励电流能够通过，这电流使得邻近的有源区内产生 粒子数反转 （载流子反转），仍需要制成两个平行的端面起镜面作用， 为形成激光模供应必需的光反馈； 图 13-1（ a） 半导体激光器结构 第 1 页，共 12 页 |精. |品. |可. |编. |辑. |学. |习. |资. |料. * | * | * | * | |欢. |迎. |下. |载.  2、半导体激光器的阈值条件  图 13-1 （b ） 半导体激光器工作原理图 阈值电流作为各种材料和结构参数的函数的一个表达式： Jth 8 en2 2 Q 0 D [a 1 ln〔 2 1 〕] R 这里， Q 是内量子效率， 0 是发射光的真空波长， n 是折射率， 是自发辐射线宽， e 是电子电荷， D 是光发射层的厚度， 是行波的损耗系数， L 是腔长， R 为功率反射系数； 第 2 页，共 12 页 |精. |品. |可. |编. |辑. |学. |习. |资. |料. * | * | * | * | |欢. |迎. |下. |载.  图 13-2 半导体激光器的 P-I 特性 图 13-3 不同温度下半导体激光器的发光特性 3、伏安特性 伏安特性描述的是半导体激光器的纯电学性质， 通常用 V-I 曲线表示； V-I 曲线的变化反映了激光器结特性的优劣；与伏安特性相关联的一个参数是 LD 的串联电阻；对 V-I 曲线进行一次微商即可确定工作电流（ I）处的串联电阻（ dV/dI ）；对 LD 而言总是期望存在较小的 串联电阻； 第 3 页，共 12 页 |精. |品. |可. |编. |辑. |学. |习. |资. |料. * | * | * | * | |欢. |迎. |下. |载.  3、横模特性  图 13-4 典型的 V-I 曲线和相应的 dV/dI 曲线 半导体激光器的共振腔具有介质波导的结构，所以在共振腔中传播光以模的形式存在； 每个模都由自己的传播系数 和横向电场分布， 这些模就构成了半导体激光器中的横模； 横模经端面出射后形成辐射场； 辐射场的角分布沿平行于结面方向和垂直结面方向分别成为正 横场和侧横场； 辐射场的角分布和共振腔的几何尺寸亲密相关， 共振腔横向尺寸越小， 辐射场发射角越大；由于共振腔平行于结面方向的宽带大于垂直于结面方向的厚度； 所以侧横场小于正横场 发射角，如图 13-5 所示；侧横场发射角可近似表示为： / d ，d 表示共振腔宽度；共振 腔的厚度通常只有 1μm 左右， 和波长同量级， 所以正横场发射角较大， 一般为 30°~40°；辐射场的发射角仍和共振腔长度成反比， 而半导体激光器共振腔一般只有几百微米， 所以其远场发射角远远大于气体激光器的远场发射角； 第 4 页，共 12 页 |精. |品. |可. |编. |辑. |学. |习. |资. |料. * | * | * | * | |欢. |迎. |下. |载.  图 13-5 半导体激光器的远场辐射特性 图 13-5（c） 半导体激光器的远场辐射特性 4、纵模特性 激光器二极管端面部分的反射的反馈导致建立单个或多个纵模特性； 由