半导体纳米材料制备方法(精).docVIP

半导体纳米资料的制备方法(精) 半导体纳米资料的制备方法(精) PAGE / NUMPAGES 半导体纳米资料的制备方法(精) 纲要： 议论了目前国内外主要的几种半导体纳米资料的制备工艺技术 , 包含 物理法 和化学法两大类下的几种 ，机械 球磨法 、磁控溅射 法、静电纺丝法、溶胶 凝胶法、微乳液法、模板法等 , 并剖析了以上几种纳米资料制备技术的优弊端 重点词 : 半导体纳米粒子性质；半导体纳米资料；溶胶一凝胶法 ; 机械球磨法；磁控溅射法；静电纺丝法；微乳液法；模板法；金属有机物化学气相淀积 前言 半导体资料（ semiconductormaterial ）是一类拥有半导体性能（导电能力介于导体 与绝缘体之间，电阻率约在 1mΩ· cm～ 1GΩ· cm 范围内）。 相关于导体资料而言 , 半导体中的电子动能较低 , 有较长的德布罗意波长 , 对空间限域比较敏感。半导体资料空间中某一方向的尺寸限制与电子的德布罗意波长可 比较时 , 电子的运动被量子化地限制在失散的本征态 , 从而失掉一个空间自由度或许说减少了一维 , 往常合用体资料的电子的粒子行为在此资猜中不再合用。这类自然界不存在 , 经过能带工程人工制造的新式功能资料叫做半导体纳米资料。现已知道 , 半导体纳米粒子构造上的特色 ( 原子畴尺寸小于 100nm,大比率原子处于晶界环境 , 各畴之间存在互相作用等是致使半导体纳米资料拥有特别性质的根来源因。半导 体纳米资料独到的质使其将在将来的各样功能器件中发挥重要作用 , 半导体纳米资料的制备是目前研究的热门之一。本文议论了半导体纳 米资料的性质 , 综述了几种化学法制备半导体纳米资料的原理和特色。 半导体纳米粒子的基天性质 2.1表面效应 球形颗粒的表面积与直径的平方成正比，其体积与直径的立方成正比，故其比表面积（表面积 / 体积）与直径成反比。跟着颗粒直径变小，比表面积将会显 著增大，说明表面原子所占的百分数将会明显地增添。对直径大于 0.1 微米的颗粒表面效应可忽视不计，当尺寸小于 0.1 微米时，其表面原子百分数激剧增添，甚至 1 克超微颗粒表面积的总和可高达 100 平方米，这时的表面效应将不容忽视。 跟着纳米资料粒径的减小，表面原子数快速增添。比如当粒径为 10nm时，表面原子数为完好晶粒原子总数的 20%；而粒径为 1nm时，其表面原子百分数增大到 99%；此时构成该纳米晶粒的所有约 30 个原子几乎所有散布在表面。因为 表面原子四周缺乏相邻的原子：有很多悬空键，拥有不饱和性，易与其余原子相联合而稳固下来，故表现出很高的化学活性。跟着粒径的减小，纳米资料的表面积、表面能及表面联合能都快速增大。 超微颗粒的表面与大块物体的表面是十分不一样的，若用高倍率电子显微镜对金超微颗粒（直径为 2*10-3 微米）进行电视摄像，及时察看发现这些颗粒没有固定的形态，跟着时间的变化会自动形成各样形状（如立方八面体，十面体，二十面体多李晶等），它既不一样于一般固体，又不一样于液体，是一种准固体。在电子显微镜的电子束照耀 下，表面原子忧如进入了 “沸腾 ”状态，尺寸大于 10 纳米后才看不到这类颗粒构造的不稳固性，这时微颗粒拥有稳固的构造状态。 所以想要获取发光效率高的纳米资料，采纳合适的方法合成表面完满的半导体资料很重要。 2.2量子尺寸效应 量子尺寸效应 --是指当粒子尺寸降落到某一数值时，费米能级邻近的电子能级由准连续变为失散能级或许能隙变宽的现象。当能级的变化程度大于热能、光能、电磁能的变化时，致使了纳米微粒磁、光、声、热、电及超导特征与惯例资料有明显的不一样。当半导体资料从体相减小到某一临界尺寸 (如与电子的德布罗意波长、电子的非弹性散射均匀自由程和体相激子的玻尔半径相等此后 , 此中的电子、空穴和激子等载流子的运动将遇到强量子关闭性的限制，同时致使其能量的 增添，与此相应的电子构造也从体相的连续能带构造变为近似于分子的准分裂能级 , 使本来的能隙变宽，即光汲取谱向短波方向挪动，这就 是量子尺寸效应。当热能、电场能或磁场能比均匀的能级间距还小时 , 超微颗粒就会表现一系列与宏观物体截然相反的特征 , 客观表现为光谱线会向短波方向挪动，催化活性变化。 XuSh-ming 等[2] 测定其合成的半导体纳米线阵列的紫外可见汲取光谱表示 , 跟着半导体纳米线直径减小，其汲取边相关于体相蓝移的幅度增添，显示了显然的量子尺寸效 应。量子尺寸效应是将来微电子、光电子器件的基础 , 当微电子器件进一步细小化时，一定考虑量子效应。 2.3介电限域效应 当用电容率较小的资料修饰半导体纳米资料表面时，带电的半导体纳米粒子发出的电场线很简单穿过电容率比自己小的包覆层。所以，障蔽效应减小，带电粒子间的库仑作使劲加强，结果加强了激子的联合能和振子