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APD光电二极管特性测试实验 一、实验目的 1学习掌握 APD光电二极管的工作原理 2、 学习掌握APD光电二极管的基本特性 3、 掌握APD光电二极管特性测试方法 4、 了解APD光电二极管的基本应用 二、实验内容 1 APD光电二极管暗电流测试实验 2、 APD光电二极管光电流测试实验 3、 APD光电二极管伏安特性测试实验 4、 APD光电二极管雪崩电压测试实验 5、 APD光电二极管光电特性测试实验 6、 APD光电二极管时间响应特性测试实验 7、 APD光电二极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、 光电探测综合实验仪 1 个 2、 光通路组件 1 套 3、 光照度计 1 台 4、 光敏电阻及封装组件 1 套 5、 2#迭插头对（红色, 50cm) 10 根 6、 2#迭插头对（黑色, 50cm) 10 根 7、 三相电源线 1 根 8、 实验指导书 1 本 9、 示波器 1 台 四 、实验原理 雪崩光电二极管 APD—Avalanche Photodiode 是具有内部增益的光检测器， 它可以用来 检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。 雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。当 PN结上加高的反偏压时， 耗尽层的电场很强， 光生载流子经过时就会被电场加速， 当电场强度足够高 （约 3x105V／cm） 时，光生载流子获得很大的动能， 它们在高速运动中与半导体晶格碰撞， 使晶体中的原子电 离，从而激发出新的电子一空穴对， 这种现象称为碰撞电离。 碰撞电离产生的电子一空穴对 在强电场作用下同样又被加速， 重复前一过程， 这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加， 电流也迅速增大，这个物理过程称为雪崩倍增效应。 图6-1为APD的一种结构。外侧与电极接触的 P区和N区都进行了重掺杂，分别以 ?和N+ 表示；在I区和甘区中间是宽度较窄的另一层 P区。APD工作在大的反偏压下，当反偏压加 大到某一值后，耗尽层从 N+-P结区一直扩展（或称拉通）到卩+区，包括了中间的 P层区和I 区。图4的结构为拉通型 APD的结构。从图中可以看到，电场在 I区分布较弱，而在 N+-P 区分布较强，碰撞电离区即雪崩区就在 N+-P 区。尽管 I 区的电场比 N+-P 区低得多，但也足 够高（可达2x104V/cm）,可以保证载流子达到饱和漂移速度。 当入射光照射时，由于雪崩区 较窄，不能充分吸收光子，相当多的光子进入了 I区。I区很宽，可以充分吸收光子，提高 光电转换效率。我们把I区吸收光子产生的电子-空穴对称为初级电子-空穴对。在电场的作 用下，初级光生电子从I区向雪崩区漂移，并在雪崩区产生雪崩倍增； 而所有的初级空穴则 直接被p+层吸收。在雪崩区通过碰撞电离产生的电子 -空穴对称为二次电子-空穴对。可见， I区仍然作为吸收光信号的区域并产生初级光生电子 -空穴对，此外它还具有分离初级电子 和空穴的作用，初级电子在 N+-P区通过碰撞电离形成更多的电子 -空穴对，从而实现对初级 光电流的放大作用。 电墟］ 图6-1 APD的结构及电场分布 碰撞电离产生的雪崩倍增过程本质上是统计性的， 即为一个复杂的随机过程。 每一个初 级光生电子-空穴对在什么位置产生，在什么位置发生碰撞电离，总共碰撞出多少二次电子 一空穴对，这些都是随机的。因此与 PIN光电二极管相比，APD的特性较为复杂。 APD的雪崩倍增因子M定义为 M=Ip/I po 式中：I p是APD的输出平均电流；I po是平均初级光生电流。从定义可见，倍增因子是 APD的电流增益系数。由于雪崩倍增过程是一个随机过程，因而倍增因子是在一个平均之上 随机起伏的量，雪崩倍增因子 M的定义应理解为统计平均倍增因子。 M随反偏压的增大而增 大，随W的增加按指数增长。 APD的噪声包括量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声、热噪声和附加的倍增噪声。倍增 噪声是APD中的主要噪声。 倍增噪声的产生主要与两个过程有关，即光子被吸收产生初级电子 -空穴对的随机性和 在增益区产生二次电子-空穴对的随机性。这两个过程都是不能准确测定的，因此 APD倍增 因子只能是一个统计平均的概念，表示为 M,它是一个复杂的随机函数。 由于APD具有电流增益，所以 APD的响度比PIN的响应度大大提高，有 R)=M(I p/P)=M( n q/ hf) 量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是小于 1。 APD的线性工作范围没有 PIN宽，它适宜于检测微弱光信号。当光功率达到几 uw以上 时，输出电流和入射光功率之间的线性关系变坏， 能够达到的最大倍增增益也降低了， 即产 生了饱和现象。 、 APD的这种非线性转换的原因与 PIN类似，主要是器件上的偏压不能保持恒定。由于偏 压降低，使得雪崩区变