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PAGE PAGE 1 EEPROM存储器设备和对应方法与流程 相关申请的交叉引用本申请要求于2020年02月06日提交的法国申请号2001195的权益，该申请在此通过引用并入本文。实施例及其实施方式涉及集成存储器电路和对应方法，特殊涉及电可擦除可编程只读存储器(eeprom)和对应方法。背景技术：在eeprom存储器中，较小的存储器单元和更紧凑的高电压晶体管可能需要更简单的激活机构，更简单的激活机构占据较大的表面积，这抵消了存储器单元尺寸减小的好处。技术实现要素：例如，用法正电位和负电位的组合来生成编程电压的被称为共享电压技术的技术，允许存储器单元的缩小，其害处是结果需要具有互补掺杂的阱的反相器类型的更简单的把握栅极切换电路，这增加了由这些电路占据的表面积。常规地，向每个存储器字(通常由存储器单元的字节组成)供应把握栅极切换电路。存储器密度越低，换句话说，激活机构所占据的表面积相对于存储器单元所占据的表面积的比例越大，问题就变得越严峻。期望克服表面积方面的额外成本，以便获得eeprom存储器的集成电路或芯片的整体尺寸减小和成本降低的真正优势。已经供应的一种解决方案是共享用于由数个字节(例如四个字节)组成的存储器字的把握栅极切换电路，以便限制把握栅极切换电路占据的表面积。然而，对于把握栅极切换电路，存储器字中的数个字节的分组在