化学气相淀积.pptVIP

6.2.4 CVD技术 3. PECVD（等离子体增强化学气相淀积） 淀积原理: RF激活气体分子（等离子体），使其在低温 （室温）下发生化学反应，淀积成膜。 淀积机理：表面反应控制过程。 优点：温度低（200－350℃）；更高的淀积速率； 附着性好；台阶覆盖好；电学特性好； 缺点：产量低； 淀积薄膜：金属化后的钝化膜（ Si3N4 ）；多层布 线的介质膜（ Si3N4 、SiO2）。 第三十页，共51页 二、各种CVD方法 第三十一页，共51页 6.3 CVD多晶硅 6.3.1 多晶硅薄膜的特性 1. 结构特性 ①由无数生长方向各不相同的小晶粒(100nm量级）组成；主要生长方向（优选方向）－－110。 ②晶粒间界具有高密度缺陷和悬挂键。 2. 物理特性：扩散系数明显高于单晶硅； 3. 电学特性 ①电阻率远高于单晶硅；WHY? ②晶粒尺寸大的薄膜电阻率小。 第三十二页，共51页 6.3.2 CVD多晶硅 工艺：LPCVD； 气体源：气态SiH4； 淀积过程： ①吸附：SiH4（g)→ SiH4（吸附) ②热分解： SiH4（吸附) = SiH2（吸附)+H2(g) SiH2（吸附) = Si（吸附)+H2（g) ③淀积： Si（吸附)=