模电试卷二及答案.docxVIP

C.— 28V D.— 18V 1.单项选择题（在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题 干后的（）内。每小题2分，共20分） （1） 杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ A.掺杂浓度 B.工艺 C温度 （2） 硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于（ A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 穿状态 （3） 测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地” A. NPN型硅管 B. NPN型锗管 （4） 温度上升时，半导体三级管的 A.B和Icbo增大，Ube下降 C.B减小，Icbo和Ube增大 ）。 D.晶体缺陷 (图2) C.反向截止状态 D.反向热击 ( B. D. 的电压如图 C. PNP型锗管 D. ）。 B和Ube增大，Icb0减小 B、Icbo和Ube均增大 1所示， PNP型硅管 ① -2V② -8V （图1） （5） 在共射极、共基极、共集电极、 I Au | 1的只可能是（ A.共集电极放大电路 C.共漏极放大电路 共漏极四种基本放大电路中，u ）。 B.共基极放大电路 D.共射极放大电路 与u 1相位相反、 （10） 在下列四种比较器中.抗干扰能力强的是（ ） A.迟滞比较器 B.零比较器 C.三态比较器 D.窗口比较器 2 .填充题（每格1分，共20分） （11） 当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数而 产生