硅集成电路原理范围.pdfVIP

如有帮助，欢迎下载。 张帆 扬帆☆逐月 第一章 (1) Si 具有哪种晶格结构 ,常温下带隙值为多大 1金刚石结构属于面心立方 2常温下带隙值为 1.1242eV (2) 浅能级杂质的定义，哪个主族的元素掺入 Si 中能形成 n 型浅能级杂质？哪个主族的元素掺入 Si 中能形成 p 型浅能级杂质？ P16 1硅晶中的 III 族元素和 VI 族元素杂质，它们作为受主和施主时，其 电离能的大小并不一样，但有一个共同的特点，就是电离能与禁带 宽度相比都非常小。这些杂质所形成能级在禁带中很靠近价带顶和 导带底，我们称这样的杂质能级为浅能级杂质。 2VI 族元素 3III 族元素 (3) 深能级杂质的定义，说明深能级杂质和缺陷的作用有 哪些？ 1 一些掺杂半导体中的杂质或缺陷在带隙中引入的能级较深，被称为 深能级杂质。一般情况下深能级杂质大多为多重能级 2 1) 可以成为有效复合中心，大大降低载流子的寿命； 2) 可以成为非辐射复合中心，影响半导体的发光效率； 3) 可以作为补偿杂质，大大提高半导体材料的电阻率。 (4) 能够计算 Si\Ge 的体原子密度和线密度 . 1原子密度＝晶胞中包含原子个数 / 晶胞体积 硅晶体中的原子密度为： 8/a3=5*1022/cm3 锗晶体中的原子密度为： Ge=4.42*1022/cm3 2线密度： 1 如有帮助，欢迎下载。 张帆 扬帆☆逐月 (5) 拉 Si 单晶的方法有哪些 ? 1直拉法（ Czochralski 法 ) 2 区域熔融法（ Floating Zone 法） (6) 点缺陷的种类有哪些 ?线缺陷有哪些 ? 自间隙原子、空位、肖特基缺陷、 1点缺陷 弗伦克尔缺陷 外来原子缺陷（替位或间隙式） 2线缺陷： 刃位错，螺位错 第二章 热氧化制备 SiO2 主要有哪三种 ,各种方法的制备速度 和制备质量如何 ? 2 如有帮助，欢迎下载。 张帆 扬帆☆逐月 网络形成者的概念 P24 1可以替代 SiO2 网络中硅的杂质，也就是能代替 Si-O 四面体中心的硅、 并能与氧形成网络的杂质，称为网络形成者。 能够阐述热氧化的基本过程 ? 1