模拟电子技术基础(第四版)课件--童诗白.pptVIP

—多媒体教学课件 模拟电子技术基础Fundamentals of Analog Electronics童诗白、华成英　　主编 第四版童诗白 目录 第三版童诗白 第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6集成电路中的元件 第三版童诗白 本章重点和考点： 1.二极管的单向导电性、稳压管的原理。 　2.三极管的电流放大原理， 　　如何判断三极管的管型 、管脚和管材。 　　3.场效应管的分类、工作原理和特性曲线。 第三版童诗白 本章讨论的问题： 2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？ 3.什么是N型半导体？什么是P型半导体？ 　当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？ 4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向性？在PN结中另反向电压时真的没有电流吗？ 5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效　应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它　们都可以用于放大？ 1.为什么采用半导体材料制作电子器件？ 　1.1 半导体的基础知识 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 一、导体、半导体和绝缘体 PNJunction 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时， 它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力和内部结构发生变化。 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 价电子 共价键 图 1.1.1　本征半导体结构示意图 二、本征半导体的晶体结构 当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 图 1.1.2　本征半导体中的 　　　　 自由电子和空穴 自由电子 空穴 若 T  ，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 T  自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。 　　空穴可看成带正电的载流子。 三、本征半导体中的两种载流子 （动画1-1） （动画1-2） 四、本征半导体中载流子的浓度 在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。 本征半导体中载流子的浓度公式： T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.43×1010/cm3 本征锗的电子和空穴浓度: 　　n = p =2.38×1013/cm3 ni=　pi=　K1T3/2 e -EGO/(2KT) 本征激发(见动画) 复合 动态平衡 1. 半导体中两种载流子 　　2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，　　　称为 电子 - 空穴对。 　　3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 　　　　　　表示，显然 ni = pi 。 　　4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又　　　不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动　　　会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 　　5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升　　　高，基本按指数规律增加。 小结　 1.1.2　杂质半导体 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 一、 N 型半导体(Negative) 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如　　磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型　　半导体)。 常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 5 价杂质原子称为施主原子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p 。 　　电子称为多数载流子(简称多子)， 　　空穴称为少数载流子(简称少子)。 二、 P 型半导体 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 　　空穴浓度多于电子浓度，即 p n。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。 　　3 价杂质原子称为受主原子。 受主原子 空穴 图 1.