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半导体芯片制造工考试试题 半导体芯片制造高级工考试试题 ? 一、填空题 ? 1. 禁带宽度的大小决定着（ 电子从价带 跳到导带 ）的难易，一般半导体材料的禁 带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流 子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等 的干扰而产生变化。 ? 2. 硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀 液。砷化镓片用 ( 硫酸 ) 系、氢氧化氨 系蚀腐蚀液。 ? 3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的 方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实 现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生 成一层（ 氧化物 ），它们阻挡了铝原子 之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围 的间距。 ? 4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、 分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系 列工艺称为（ 组装 ）。 ? 5. 钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又 可分为（ 导电胶粘接 ）、( 银浆烧 ? ? （ 不够 ）；反应室漏气； 外延层的晶体 （质 量差 ）；系统沾污等；载气纯度不够；外延 层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。 ? 14. 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个 射程参数是（ 平均投影射程 ）和 （ 平均投影标准差 ）。 ? 15、二氧化硅的制备方法很多，其中最常用 的是高温 （氧化 ）、（气相 ）淀积、 PECVD淀积。 ? 16、半导体集成电路生产中，元件之间隔离 有 （ Pn 结介质 ）（Pn 结隔离 ）（Pn 结介质混合 ）隔离等三种基本方法 . ? 17、最常用的金属膜制备方法有 （电阻 ） 加 热 蒸 发 、 （ 电 子 束 ） 蒸 发 、 （溅 射 ）。 ? 18、热分解化学气相淀积二氧化硅是利用 （含有硅的化合物 ）化合物，经过热分 解反应，在基片表面淀积二氧化硅。 ? 19 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复 杂，但主要可分为 （ 替位 ）扩散和 （ 间 隙 ）扩散两种。 ? 20 半导体材料可根据其性能、晶体结构、 结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是 根据其化学组成可分为 （元素 ）半导体、 （ 化合物 ）半导体、固溶半导体三大类。 ? 延生长方法比较多，其中主要的有（ 化学 气相 ）外延、 （液相 ）外延、金属有 机化学气相外延、 （ 分子束 ）外延、原子 束外延、固相外延等。 ? 气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（