单片微波集成电路.pdfVIP

单片微波集成电路 （MMIC），有时也称 射频集成电路 ( RFIC) ，它是随着半导体制 造技术的发展， 特别是离子注入控制水平的提高和晶体管自我排列工艺的成熟而 出现的一类高频放大器件。 微波集成电路 Microwave Integrated Circuit 工作在 300M赫～ 300G赫频率范围内的集成电路。 简称 MIC。 分为混合微波 集成电路和单片微波集成电路 。前者是用厚膜技术或 薄膜技术 将各种微波功能 电路制作在 适合传输微波信号的介质 ( 如高氧化铝瓷、 蓝宝石、石英 等) 上，再将 分立有源元件安装在相应位置上组成微波集成电路。 这种电路的特点是根据 微波 整机的要求 和微波波段的划分进行设计和制造， 所用集成电路多是 专用 的。单片 微波集成电路则是将微波功能电路用半导体工艺制作在砷化镓或其他半导体芯 片上的集成电路。 这种电路的设计主要围绕 微波信号的 产生、放大、控制 和信息 处理 等功能进行，大部分电路都是根据不同 整机 的要求和微波频段的特点设计 的，专用性很强。 在这类器件中，作为反馈和直流偏置元件的各个电阻器都采用具有高频特性的 薄 膜电阻 ，并且与各有源器件一起 封装 在一个芯片上， 这使得各零件之间几乎无连 线，从而使 电路的感抗降至最低 ，且分布电容也极小， 因而可用在 工作频率和频 宽都很高 的 MMIC放大器 中。 目前，MMIC的工作频率已可做到 40GHz，频宽也已达到 15GHz，因而可广泛应用 于通信和 GPS, 等各类设备的射频、中频和本振电路中。 根据制作材料和内部电路结构的不同， MMIC可以分成两大类： 一类是基于 硅 Silicon 晶体管的 MMIC，另一类是基于 砷化镓场效应管 （GaAs FET）的 MMIC。 GaAs FET类 MMIC具有工作频率高、频率范围宽、动态范围大、噪声低的特点， 但价格昂贵，因此应用场合较少；而硅晶体管的 MMIC性能优越、使用方便，而 且价格低廉，因而应用非常广泛 . 微波集成电路 是工作在微波波段和毫米波波段， 由微波无源元件、 有源器件 、传 输线和互连线集成在一个基片上， 具有某种功能的电路。 可分为混合微波集成电 路和单片微波集成电路。 微波集成电路起始于 20 世纪 50 年代。微波电路技术由 同轴线、波导元件 及其组 成的系统转向 平面型电路 的一个重要原因，是 微波固态器件 的发展。 60～70 年 代采用 氧化铝基片 和厚膜薄膜工艺 ；80 年代开始有单片集成电路。 微波集成电路的分类 混合微波集成电路 是采用薄膜或厚膜技术， 将无源微波电路制作在适合传输微波 信号的基片上的功能块。 电路是根据系统的需要而设计制造的。 常用的混合微波 集成电路有微带混频器、微波低噪声放大器、功率放大器、倍频器、相控阵单元 等各种宽带微波电路。 单片微波集成电路 是采用 平面技术 ，将元器件、 传输线、 互连线直接制做在半导 体基片上的功能块。 砷化镓是最常用的基片材料 。 单片微波集成电路包括 多种功能电路 ，如低噪声放大器（ LNA）、功率放大器、 混频器、上变频器、检波器、调制器、压控振荡器（ VCO）、移相器、开关、 MMIC 收发前端，甚至整个 发射/ 接收（ T/R ）组件 （收发系统）。由于 MMIC的衬底材 料（如 GaAs、InP ）的电子迁移率较高、禁带宽度宽、工作温度范围大、微波传 输性能好，所以 MMIC具有