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1.1 电子封装发展过程
为了便于晶体管在电路中使用和焊接, 要有外壳外接引脚; 为了固定半导体
芯片,要有支撑它的外壳底座; 为了防护芯片不受大气环境污染, 也为了使其坚
固耐用,就必须有把芯片密封起来的外壳等, 这样产生了微电子封装技术。 概括
起来,微电子封装技术经历了以下几个发展阶段:
第一阶段: 20世纪 60 、70年代, IC芯片的制造还处于初始阶段,集成度很
低,对 IC封装没有更多的要求。此阶段采用了以双列直插 (DIP) 为主,以单列直
插式 (SU)与针栅阵列 (PGA) 为辅的封装。特点是封装尺寸大, 占印刷电路板 (PCB)
面积大,集成度和频率难以提高。
第二阶段:进入 80 年代,出现了表面组装技术 (SMT),该技术以回流焊代替
波峰焊,进一步提高了 PCB成品率,对IC 的封装提出了新要求, 开发出了塑封有
引线芯片载体 (PLCC) 、四边引出线扁平封装 (QFP) 的紧凑型封装。
第三阶段:90 年代中前期, 随着个人计算机的普遍使用, 带来了计算机产业
质与量上的重大变化,原有的 PLCC 、QFP 、封装上的系统 (SOP) 已不能满足它
的发展要求,从而进一步引入了更小更薄的封装形式:窄间距小外形封装
(SSOP)、窄间距四边引出线扁平封装 (SQFP) 、内引线的球栅阵列 (BGA) 封装及
壳内系统封装 (SIP)。特别是 BGA 封装形式,使 IC 引出脚大大增加。至此,多年
来一直大大滞后于芯片发展的微电子封装,由于 BGA 的开发成功而终于能够适
应芯片发展的步伐。
第四阶段: IT产业的不断繁荣,促进了电子设备向高性能、高集成、高可靠
性方向发展, 而支持其发展的关键技术就是 IC组装技术。 封装技术进入了高速发
展期,先进的封装技术和形式不断涌现,如多芯片组件技术 (MCM) 、芯片尺寸
封装技术 (CSP) 、芯片直接贴装技术 (DCA) 、晶圆规模集成技术 (WSI)等。其中,
CSP主要是由 BGA 向小型化、薄型化方向发展而形成的一类崭新的封装形式。
1.2 电子封装分级
从一个晶体管到几个集成电路板,电子封装技术可以分为以下五级:
(1) 零级封装。包括芯片粘接和芯片互连技术。芯片粘接只需将芯片固定安
装在基板上,方法有 Au-Si 合金共熔法、 Pb-Sn合金片焊接法、导电胶粘接法、有
机树脂基粘接法;芯片互连技术包括引线键合 (Wire Bonding) 、载带自动焊
(Tape Automated Bonding) 和倒装焊腰( Flip Chip Bonding)-- 种。
(2) 一级封装。它是将一个或多个 IC芯片用适宜的材料 ( 金属、陶瓷、塑料或
. 资料
它们的组合 )封装起来,同时在芯片的焊区与封装的外引脚间用上述三种芯片互
连方法连接起来, 使之成为有实用功能的电子元器件或组件。 该级封装包括封装
外壳制作在内的单芯片组件 (SCM) 和多芯片组 (MCM) 两大类, 在各个不同的发
展时期都有相应的封装形式.
(3) 二级封装。这一级封装实际上是组装,即将上一级各种微电子封装产品、
各类元器件及板上芯片 (Chip On Broad)-- 同安装到 PWB或其他基板上。该级组
装技术包括通孔安装技术 (THT)、表面安装技术 (SMT)和芯片直接安装技术 (DCA)
三部分。
(4) 三级封装。这是一级密度更高、功能更全、更加庞大复杂的组装技术,
是由二级组装的各个插板或插卡再共同插装在一个更大的母板上构成的,
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