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编辑版 编辑版 word 湖南对口招生职业中专电子技术基础复习题总汇 一、填空 第一章 复习题 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 （ 五） 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 （ 自由电子 ） 。 2、PN 结正向偏置时，内、外电场方向（ 相反）。 3、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 （ R×1k ）档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 （ 阴 ） 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说 明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通。 4、双极型三极管内部有基区、 发射区和集电区， 有 （ 发射） 结和 ( 集电) 结 及向外引出的三个铝电极。 5、二极管的伏安特性曲线上可分为 ( 死 ) 区、正向导通 区、 (反向截止 ) 区和（ 反向击穿 ） 区四个工作区。 6、双极型三极管简称晶体管，属于（ 电流） 控制型器件，单极型三极管称为MOS 管，属于 （电压 ） 控制型器件。 MOS 管只有 （ 多数） 流子构成导通电流。 二、判断 1、P 型半导体中空穴多于自由电子， 说明 P 型半导体带正电 .。 （ × ） 2、二极管只要工作在反向击穿区， 一定会被击穿而造成永久损坏。 （ × ） 3、晶体管和场效应管一样， 都是由两种载流子同时参与导电。 （ × ） 4、只要在二极管两端加正向电压， 二极管就一定会导通。 （ × ） 5、双极型三极管的集电极和发射极类型相同， 因此可以互换使用。 （ × ） 三、单选 1、单极型半导体器件是（ C ）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。2、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、正向死区状态。3、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。4、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流 I CM； B、集—射极间反向击穿电压 U（ BR） CEO ； C、集电极最大允许耗散功率 PCM； D、管子的电流放大倍数 。 5、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 6、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等 1K Ω，说明该二极管 （ A ）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 7、测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为 VE＝ 2.1V，VB＝ 2.8V，VC＝ 4.4V，说明此三极管处在（ A ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 四、简答 1、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚① 12V、管脚 ② 3V、管脚③ 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 答：管脚③和管脚②电压相差 0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高， 所以一定是一个 NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极， 管脚 ③是基极，管脚①是集电极。 2、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？ 答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大 能力大大降低。 因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大， 且结面积也不同。 第二章复习题 一、填空 1、基本放大电路的三种组态分别是： （ 共发射极） 放大电路、（ 共集电极） 放大电路和 （共基极） 放大电路。 2、放大电路应遵循的基本原则是： （ 发射） 结正偏； ( 集电) 结反偏。 3、射极输出器具有 （ 电压放大倍数） 恒小于 1、接近于 1， 输入信号 和 输出信号 同相，并具有 输入电阻 高和 输出电阻 低的特点。 4、对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻 （ 越大） 越好，因为这 可以减轻信号源的负荷。人们又希望放大电路的输出电阻 （ 越小） 越好， 因为这可以增强放大电路的整个负载能力。 5、多级放大电路通常有 （ 直接） 耦合、 （ 阻容） 耦合和 变压器 耦合 的三种耦合方式。 二、判断 1、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。 （ √ ） 2、共射放大电路输出波形出现上削波， 说明电路出现了饱和失真。 （ × ） 3、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。 （ √ ） 4、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。 （ ×） 三、单选 1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（ C ）。 A、直流成分； B、交