模电总结复习资料模拟电子技术基础.docxVIP

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  • 2021-11-15 发布于天津
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模电总结复习资料模拟电子技术基础.docx

半导体的基础知识 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 (如硅Si、错Ge)。 特性…光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子) *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴) 杂质半导体的特性 *载流子的浓度 … 多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻… 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型… 通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 PN 结 PN 结的接触电位差 … 硅材料约为?,错材料约为?。 PN 结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 PN结的伏安特性 半导体二极管 *单向导电性……正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------ 硅管?,错管?。 *死区电压------ 硅管,错管。 分析方法—— 将二极管断开,分析二极管两端电位的高低 : 若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。 1) 图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 Q

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