擦写干扰测试系统、方法以及执行装置与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 擦写干扰测试系统、方法以及执行装置与流程 1.本技术涉及芯片测试技术领域，详细而言，涉及擦写干扰测试系统、办法以及执行装置。背景技术：2.目前市场上广泛应用的flash存储芯片是由浮栅结构（floating gate）构成，电子在电场的作用下移入和移出分离对应编程（program）和擦除（erase）操作，浮栅中存储的电子数量可以转变场效应的导通电压，也就是阈值电压（vth），而阈值电压是用来区别存储的“0”和“1”的临界电压，高于vth被识别为“0”表示写入，低于vth被识别为“1”表示擦除。对nor flash来说，写入和擦除分离对应热电子注入和f?n隧穿原理，其中编程操作是栅极和漏极分离接8.4v和3.9v的电压，基底和源极接地，而擦除操作是基底和源极都接7~10v的电压，栅极?9v的电压。3.其中市场上65nm以下工艺制备的浮栅结构的flash存储芯片为了优化面积，在物理结构上集中放置形成一个个存储矩阵，在规律上将每个存储矩阵分成多个基于浮栅技术的阵列块，而不同阵列块处于同一个基底上，在对一个物理存储阵列中的一个阵列块举行擦写操作时，被选定操作的阵列块和这个存储阵列中剩余的阵列块因为漏极、源极和基底是相连的，因此会被漏极的电压干扰。4.综上，抗擦写干扰强弱是评价一个flash芯片质量好快的重要参考指标之一，因此精确?????、高效的flash芯片擦写干扰检测装置和办法变得尤为重要。5.在传统的测试是否有擦写干扰的计划中，是通过mcu挺直测试flash，若是想要完成一次擦写干扰测试并读取到结果，则需要mcu对一个扇区举行擦除——编程的循环操作，而对另外一个扇区则在这个擦除——编程的循环操作的间隙中举行数据的读取操作，即擦除——读取——编程——读取，然后对从flash读回归的数据在mcu中举行对照后才干知道结果。mcu每次只能操作一个flash芯片，但是随着芯片的广泛应用，芯片数量的暴增，而流向应用市场之前的擦写干扰测试对芯片质量是一个重要的评估办法，因此传统低效的测试办法已经不适用于像flash等这种大规模的应用级芯片测试。并且，传统的mcu举行flash芯片的擦写干扰测试是串行的，比如只能先对一个扇区发送一次擦/写命令后，然后才干再发送读命令对另外一个扇区去检查是否产生擦写干扰，或者先对一个扇区发送多次擦/写命令，然后再对另外一个扇区发送读命令去检查是否产生擦写干扰，而这种测试无法模拟出客户在用法flash芯片的一种场景——即在对一个扇区举行擦/写操作的同时又对另外一个扇区举行读操作。6.针对上述问题，亟需举行改进。技术实现要素：7.本技术实施例的目的在于提供擦写干扰测试系统、办法以及执行装置，具有测试效率高的优点。8.第一方面，本技术实施例提供了一种擦写干扰测试系统，技术计划如下：包括：主控模块、与所述主控模块衔接的fpga模块、与所述fpga模块衔接的待测芯片；所述主控模块用于发送操作命令以及接受所述fpga模块发送的电平信号；所述fpga模块接收所述主控模块发出的操作命令并转发给所述待测芯片，使所述待测芯片执行擦除操作或执行编程或执行读取操作，所述fpga模块对读取操作的结果举行对照并生成电平信号传输至所述主控模块，所述主控模块按照所述电平信号推断是否有擦写干扰。9.进一步地，在本技术实施例中，所述fpga模块起码包括ctrl单元以及slot单元；所述ctrl单元将所述操作命令解析后传输至所述slot单元；所述slot单元接收来自所述ctrl单元解析后的命令并将对应操作的命令发送给所述待测芯片，使所述待测芯片执行擦除操作或执行编程或执行读取操作，所述slot单元接收和寄存所述待测芯片执行读取操作的结果信息。10.进一步地，在本技术实施例中，还包括数字电位器模块，所述数字电位器模块接收所述主控模块发出的操作命令，并按照所述操作命令给所述fpga模块以及所述待测芯片供电。11.进一步地，在本技术实施例中，还包括模数转换模块，所述模数转换模块采集所述fpga模块以及所述待测芯片的电压信息，并将所述电压信息通过所述fpga模块传输至所述主控模块，所述主控模块按照所述电压信息控制所述数字电位器模块对电压举行调节。12.其次方面，本技术还提供一种擦写干扰测试办法，用于fpga模块举行擦写干扰测试，所述fpga模块一端衔接有主控模块，另一端衔接有待测芯片，包括：猎取主控模块对待测芯片的操作命令；对所述操作命令举行解析并把解析后的命令发送给所述待测芯片，使所述待测芯片执行擦除操作或执行编程操作或执行读取操作；对所述读取操作的结果举行对照生成电平信号。13.进一步地，在本技术实施例中，还包括：猎取所述待测芯片上的电压信息；将所述电压信息