采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法与流程 本发明属于mems领域金属微电极制备技术领域，特殊涉及一种采纳多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的办法。背景技术：压电喷墨打印技术因为其微型化、批量化以及寿命长等诸多优点，已经从传统的印刷行业扩展到电子、生物以及迅速成型技术等领域；作为压电喷墨打印头的驱动元件，电极材料挑选、制备质量以及图形化工艺对整体器件的振动幅值和振动形态有很大的影响。金属cu因为具有优良的导电性、导热性和弹性，目前已经广泛应用于微电子器件领域，而且多以薄膜形式用法。由磁控溅射法制备的cu薄膜材料作为常用电极广泛应用于压电喷墨打印头制作。在溅射得到cu薄膜后，采纳具有良好抗刻蚀性能的正性光刻胶为掩膜，通过刻蚀工艺对其举行图形化来得到电极结构。电极的有效面积尺寸大大影响振动性能；但是在刻蚀工艺中刻蚀反应物会透过掩膜对cu电极的边缘造成很大的侧蚀，发生侧蚀的电极实际图形向内收缩，会造成外形尺寸相对减小，pzt的有效极化面积减小，从而减弱了pzt的压电性能。因此在图形化工艺中cu刻蚀的侧蚀量控制是电极制作过程中的关键。削减侧蚀量的关键在于挑选合适的刻蚀办法，既能保证图形的完整性又不会对基底造成损伤。传统的金属刻蚀办法有干法刻蚀和湿法化学腐蚀两种，干法刻蚀是利用等离子体强力轰击来制备所需要的图形结构，通过活性气体原子与金属发生反应，实现对金属表面刻蚀的目的；吴小鹏、kimahw等人以sf6/o2作为刻蚀气体，通过磁增加反应离子刻蚀(merie)对磁控溅射法制备的pt举行刻蚀,刻蚀后的图形边缘齐整，结构致密。但是利用溅射法轰击金属表面时，不行避开的会对基底造成损伤，而且此种办法成本较高，不易操作。湿法刻蚀又包括化学反应刻蚀、电化学刻蚀和光电化学刻蚀。cu薄膜湿法刻蚀液的种类较多，李佳等人以硝酸为基础的蚀刻液腐蚀cu，讨论了不同硝酸浓度对腐蚀速度以及侧蚀的影响，但是该溶液对基底有一定的限制，而且强酸操作平安性较差，不易处理；蔡坚等人利用fecl3溶液腐蚀cu，讨论了cu在fecl3溶液中的腐蚀速度，中间产物cucl的生成机理等；另外还有氨水、氯化铵以及氯化铜组成的碱性腐蚀液也可以腐蚀cu，但是碱性刻蚀液会使正性光刻胶掩蔽层的性质发生转变，导致正胶在结构上有残留且不易去除。而且在一步腐蚀工艺下腐蚀cu，因为环境、配制浓度以及操作手法的误差，无法精确?????的控制腐蚀cu的时光，导致在腐蚀液中停歇的时光过长而发生较大侧蚀。基于这样的缘由，在结合铜在三氯化铁溶液中的腐蚀机理的讨论，本发明提出一种采纳多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的办法。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种采纳多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的办法，以容易且低成本地充实铜电极在三氯化铁溶液中腐蚀所产生的侧蚀以及不匀称现象。为实现上述目的，本发明提供如下计划：采纳多步腐蚀的办法制备压电喷墨打印头铜微电极的办法，利用mems技术中的光刻工艺制备铜电极掩蔽层，将暴露的铜电极表面腐蚀生成中间产物cucl，利用能去除cucl而不腐蚀铜的溶液腐蚀cucl即得到侧蚀小的铜微电极结构。一种采纳多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的办法，包括以下步骤：(1)用磁控溅射法在锆钛酸铅(pzt)/cr/au基底上溅射铜微电极薄膜，制备压电喷墨打印头的铜薄膜电极片；(2)在步骤(1)中制备得到的铜薄膜电极片的上表面旋涂一层正性光刻胶bp212，通过mems技术中的光刻工艺曝光显影后，得到铜薄膜电极图形的掩蔽层，从而制备得到带有掩蔽层的铜薄膜电极片；(3)将步骤(2)中制备得到的带有掩蔽层的铜薄膜电极片置于fecl3溶液中对铜薄膜电极举行腐蚀，通过调节fecl3溶液的浓度确定腐蚀速率，控制腐蚀时光，在铜薄膜电极片表面生成中间产物cucl；(4)将步骤(3)得到的表面生成cucl的铜薄膜电极片置于hcl溶液或kcl溶液中腐蚀中间产物cucl，然后举行去离子水喷淋清洗；(5)将步骤(4)中经过腐蚀和清洗后的铜薄膜电极片依次置于丙酮和乙醇溶液中处理，去除正性光刻胶bp212，得到完整的、侧蚀量小的压电喷墨打印头铜微电极结构。其中，所述步骤(1)中，磁控溅射法制备的铜薄膜厚度为500-900nm。所述步骤(2)中，正性光刻胶bp212的旋涂速度为600rpm-2200rpm，热板前烘温度为80-90℃，时光为20-30min，曝光强度为3-4mw/cm2，曝光时光为90-100s，显影用质量分数为0.2％～0.5％的naoh溶液显影30-40s，坚膜用热板80-90℃烘20-30min。所述步骤(3)和(4)中，fecl3溶液的浓度为0.02-0.04g/ml，腐