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华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案.pdfVIP

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  • 2021-11-18 发布于江苏
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华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案.pdf

    华中科技大学CMOS 拉扎维第三章课后作业中文答案 3 ．1 分析：对于PMOS 和NMOS 管二极管连接形式的CS 放大电路，最大的区别在于PMOS 做负 载无体效应，所以这里应该考虑gmb 的影响。同时，由于L=0.5，沟道长度比较短，所以，沟 长调制效应也应该考虑进去。   14 8.8510 3.9 C 0 sio

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