硅加工研究PPT课件.ppt

13硅材料的加工;外径滚磨;目的：利用外圆切割（OD）机、带锯或内圆切割（ID）机切去单晶锭的头尾非等径部分，以及不符合产品要求的部分；同时切取供检验单晶锭参数的检验片，并按规定长度将晶锭分段。 外圆切割机的刀具是在金属片的外圆边镀上一层金刚石颗粒，在刀片旋转的过程中将晶锭切断。缺陷是：晶体直径越大,外圆刀片的直径也越大，刀片厚度也越大，晶体损失也越大。 带锯和内圆切片的刀具是在其刀刃上镀上一层金刚石颗粒，用刀具的运动进行切割。优势：节省原料。;对太阳能电池用单晶??切头去尾时要注意切断面与晶锭轴线尽量垂直，以利于多线切方。 切割时必须要用水冷却，即可带走热量又可带走切屑。;生长的单晶直径一般来说都比需要加工的晶片大2~4mm，而且有的单晶特别是111晶向生长的单晶，晶棱可能成为一个小面，因此需要对晶体进行外径滚磨，使之成为标准的圆柱体。 注意事项：晶锭一定要固定牢靠，且要对中精确；每次磨去的厚度不要太大。 为了减小损伤层厚度，先用粗颗粒磨轮磨，（粒度小于100#），后用细颗粒磨轮磨（粒度介于200#~400#）。用水冷却，带走热量磨屑。;用于制作集成电路（IC）等的硅片，需要磨定位面或定位槽（V形槽）。用于制作二极管、可控硅及太阳能电池等的硅片，无需有定位面。 磨定位面或定位槽是在装有X射线定向仪的外径滚磨机上进行的。 一般磨两个面， 一个较宽的面（110）面，称为主平面， 作为对硅片定位用；另一个平面较窄，称为次平面，标识晶锭的晶向和型号。;对用于太阳能电池的硅单晶不需磨定位面，但需要切方锭。浇铸的多晶硅锭也需要开方，并去掉不符合使用要求的顶层和底层部分。 切方可用带锯也可用多线切方机。;切片就是将晶锭切成规定厚度的硅片。 两种方式：内圆切割和线切割。 内圆切割：刀片是用不锈钢制作的，在内径边沿镀有金刚石颗粒做成刀刃，将刀刃装在切片机的刀座上，施以各向均匀的张力，使刀片平直。将晶锭先用黏结剂粘在载体上，载体板面具有与晶锭外圆同样的弧形，然后将载体与晶体一起固定在切片机上，设定好片厚度及进刀速度后使内圆刀片高速旋转，从硅锭一端切出一片硅片，重复操作，将整支晶锭切出等厚度的硅片。切完后将其取下浸入热水中，除去黏结剂。;注意事项：1、调整好刀片的张力 施加张力可用水压方式和机械方式两种。 理论上水压优于机械，但是设备经常出现渗漏和降压问题而影响张力吗，一般采用机械方式。 机械方式采用螺丝固定方式，一般利用测量刀片内径的变化来判断施加在刀片上的张力是否均衡。摩擦力和热会影响张力状况，需及时调整。 2、修整刀片 刀片上的金刚石颗粒各方向的磨损不会是均衡的，可能引起非直线切割，对磨损较弱的一方必须用约320目粒度的氧化铝磨棒来进行修整。;3、保证冷却水畅通 切割处一直要用冷却水冲淋，冷却水既可以带走切屑（硅粉）又能带走切割时产生热量。一般选用自来水。 多线切割：自由研磨剂切削方式，机子使用钢线由送线轮开始缠绕，再绕过安装柄杆（安装柄杆上有很多等距离的沟槽），从柄杆出来的线，最终回到回线导轮上。 切割时钢线上喷洒由油剂和碳化硅混合而成的浆料，浆料既是研磨剂又是冷却剂。张力要适当 ;浆料可以回收经处理后再使用，但必须保证浆料的粘稠度、油剂不得变质等。浆料中的研磨粉粒度一般用800#，加工直径300mm的硅片用1500#~1800#，硬度高价格不贵。 线切割的片厚由安装柄杆上沟槽的间距决定，其切割速度主要由导线的抽动速度及导线施加于晶锭上的力量决定。;1.多线切割损耗晶体少 2.多线切割的晶片表面损伤层薄。厚片损伤层可通过研磨来消除，但损伤较大；而对薄片来说，研磨的碎片率会很高，损伤很大。 3.多线切割片可以直接用来制作太阳能电池、高压硅堆、二极管等，而无需研磨。内圆切割片则需要研磨后才能使用。 4.多线切割片的技术参数由于内圆切割，有利于加工高质量的抛光片。 5.多线切割的生产效率高，一次可以切出几千片，而内圆切割只能一片一片地切。;6.多线切割机可以加工直径200mm以上的晶体，而内圆切割只能加工直径200mm一下的晶体。 7.多线切割的钢线的不良状态难以发现，也无法修整，当钢线内部存在0.25μm的缺陷时，在加工过程中就极易断裂，一旦断裂加工中的晶体全报废，损伤较大。而内圆切割则可预先测出刀片的不良状态并予以修整。对小直径晶体而言，内圆切割应用更广泛。 8.多线切割消耗品的费用比内圆切割高，大约在两倍以上。 总的来说加工大直径的晶体多线切割较好，单位成本比内切割低20%以上，加工小直径的晶体采用内圆切割更有利。;1、晶片的晶向 按照客户的要求调整好晶向的偏离度数。 2、晶片的总厚度偏差（TTV） TTV是指晶圆最大与最小厚度之差。使用多线切割机切直径200mm的晶片，TTV可控制在20 μm以下。 3、翘曲度（Warp） 翘曲度定