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第 43 卷 第 4 期 厦门大学学报 ( 自然科学版 ) Vol. 43 No. 4
2004 年 7 月 ( ) J ul. 2004
Journal of Xiamen University Natural Science
文章编号 :0438 20479 ( 2004 ) 0420496 204
ITO 薄膜微结构对其光电性质的影响
曾明刚 1 ,陈松岩 1 ,陈谋智 1 ,王水菊 2 ,林爱清 1 ,邓彩玲 1
( 1. 厦门大学物理学系 ,2. 厦门大学分析和测试中心 ,福建 厦门 361005 )
摘要 : 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟 ( ITO ) 薄膜 ,用 X 射线衍射 ( XRD ) 、X 射线光电子能谱 ( XPS )
技术和电导率 、透射光谱测试技术 ,研究真空低温退火后 ITO 薄膜微结构 、薄膜电导率 、光谱透射率的变化 . 研究表
, , (222 ) , . Sn In3 +
明 真空低温退火使得晶体微结构得到改善 晶体呈 择优取向 晶体的结晶颗粒变大 不同价态的 对 的
替代引起晶格结构和 ITO 薄膜的载流子浓度的变化 ,从而影响到薄膜的导电性和透射率 ,证明了真空退火下氧化铟
薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因 ,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考 .
关键词 : 掺锡氧化铟 ( ITO ) 薄膜 ;磁控溅射 ; 微结构
中图分类号 : TB 43 ; TN 305. 8 ; TN 304. 2 文献标识码 :A
掺锡氧化铟 ( ITO ) 薄膜是宽禁带半导体材料 , SP2750i 单色仪 ,ID2441 探测器及 NCL 数据采集系
具有高电导率和可见光范围的高透射率 广泛应用 统测试材料的透射光谱 用日本理学 2 型
, ; D/ max C X
α
到光电器件中 , 如 LCD 、液晶显示器 、太阳电池等 . 射线衍 射 仪 进 行 了 XRD 测 试 , Cu K 作 发 射 源
目前已采用的薄膜制备技术有 :气相沉积 、磁控溅射 ( λ= 0. 154 06 nm) ,电压 40 kV ,电流为 30 mA ,扫
等 . 对 ITO 薄膜的导电机制 ,普遍认为 In2O3 中的 描速率 4 °/ min ;用美国 PHZ. Quantum 2000X 射线
氧空位是双电子能级 而 中的杂质
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