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半导体物理知识点及要点习题总结删减模板 半导体物理知识点及要点习题总结删减模板 PAGE / NUMPAGES 半导体物理知识点及要点习题总结删减模板 第一章 半导体电子状态 半导体：往常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的资料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小很多。 2 能带： 晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级散布是准连续的，在某些区间没有能及散布。这些区间 在能级图中表现为带状，称之为能带。 导带与价带 能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采纳的理论方法。 答： 能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场散布，从而给出电子的薛定鄂方程。经过该方程和周期性界限条件最后给出 E-k 关系，从而系统地成立起该理论。 单电子近似 ： 将晶体中其余电子对某一电子的库仑作用按几率散布均匀地加以考虑，这样便可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。 绝热近似 ：近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量互换，而将实质存在的这类互换看作微扰来办理。 有效质量： 有效质量是在描绘晶体中载流子运动时引进的物理量。它归纳了周期性势场对载流子运动的影响，从而 使外场力与加快度的关系拥有牛顿定律的形式。其大小由晶体自己的 E-k 关系决定。 本征半导体： 既无杂质有无缺点的理想半导体资料。 空穴 ：是为办理价带电子导电问题而引进的观点。假想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷，并给予其与电子符号相反、大小相等的有效质量，这样就引进了一个假想的粒子，称其为空穴。它惹起的假想电流正好等于价 带中的电子电流。 空穴是如何引入的，其导电的实质是什么？ 答：空穴是为办理价带电子导电问题而引进的观点。假想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷，并给予其与电子符号相反、大小相等的有效质量，这样就引进了一个假想的粒子，称其为空穴。 这样引入的空穴，其产生的电流正好等于能带中其余电子的电流。所以空穴导电的实质是能带中其余电子的导电作用，而事实上这类粒子是不存在的。 8. 半导体的盘旋共振现象是如何发生的（以 n 型半导体为例） 答案： 第一将半导体置于匀强磁场中。一般 n 型半导体中大部分导带电子位于导带底邻近，关于特定的能谷而言，这 些电子的有效质量邻近，所以不论这些电子的热运动速度如何，它们在磁场作用下做盘旋运动的频次近似相等。当用电磁波辐照该半导体时，如若频次与电子的盘旋运动频次相等，则半导体对电磁波的汲取特别明显，经过调理电磁波的频次可观察到共振汲取峰。这就是盘旋共振的机理。 简要说明盘旋共振现象是如何发生的。 半导体样品置于均匀恒定磁场，晶体中电子在磁场作用下运动 v与 B夹角 f qv B f qvB sin qv B 运动轨迹为螺旋线，圆周半径为 r ， 盘旋频次为 c v r 向心加快度 a v 2 / r c , mn* v 2 / r qv B mn* qBr / v c qB / mn* 当晶体遇到电磁波辐射时， 在频次为 时便观察到共振汲取现象。 c 直接带隙资料： 假如晶体资料的导带底和价带顶在 k 空间处于同样的地点，则本征跃迁属直接跃迁，这样的资料即是所谓的直接带隙资料。砷化镓 间接带隙资料： 假如半导体的导带底与价带顶在k 空间中处于不一样地点， 则价带顶的电子汲取能量恰好达到导带底时 1 准动量还需要相应的变化。硅、锗 第二章 半导体杂质和缺点能级 1 施主杂质： 某种杂质取代半导体晶格原子后，在和四周原子形成饱和键构造时，若另有一剩余价电子，且该电子受 杂质约束很弱、电离能很小，所以该杂质极易供给导电电子，所以称这类杂质为 施主杂质 ； 受主杂质： 反之，在形成饱和键时缺乏一个电子，则该杂质极易接受一个价带中的电子、供给导电空穴，所以称其为受主杂质。 替位式杂质： 杂质原子进入半导体硅此后，杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称为替位式杂质。形成替位式杂质的条件：杂质原子大小与晶格原子大小邻近 空隙式杂质： 杂质原子进入半导体硅此后，杂质原子位于晶格原子间的空隙地点，称为空隙式杂质。 形成空隙式杂质的条件： （ 1）杂质原子大小比较小（ 2）晶格中存在较大缝隙 形成空隙式杂质的成因：半导体晶胞内除了晶格原子认为还存在着大批缝隙，而空隙式杂质就能够存在在这些缝隙中。 3. 杂质对半导体造成的影响： 杂质的出现，使得半导体中产生了局部的附带势场，这使严格的周期性势场遇到损坏。 从能带的角度来讲，杂质可致使导带、价带或禁带中产生了本来没有的能级 杂质赔偿： 在半导体中同时存在施主和受主时，施主能级上的电子因为能量高于受主能级，因此第一跃迁到受主能级上，从而使它们供给载流子的能力抵消，这类效应即为杂质赔偿。 杂质电离能 ：杂质电离能是杂质电离所需的最少能