历年成人高考高起点数学试题及答案汇总(19992011年)(20211118230710).pdfVIP

物理竞赛论文书写式样 一、页面设置：上 2.54cm,下 2.54cm,左 2.67cm,右 2.67cm,页眉 1.5cm,页脚 1.75cm， 行间距 1.35 倍。 二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。 三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从 中文摘要、 Abstract、目录用罗马数字 (I ，II ，III …… )编排，从正文第一章开 始按照阿拉伯数字（ 1，2，3…… ）编排。 四、摘要 1．中文摘要：标题小二号宋体加粗， “专业、学号、姓名、指导教师”五号 宋体，“摘要”两字小五号宋体，摘要内容小五号宋体， “关键词”三字 小五号宋体加粗， 2 ．英文摘要：标题小二号 Times New Roman 体加粗，“Abstract”四号 Times New Roman 体 ；“Abstract ” 内 容 小 四 号 Times New Roman 体 ， “Keyword ”小四号 Times New Roman 体加粗。 五、正文：标题四号宋体，正文内容五号宋体。 六、图表：图表内容五号宋体。 七、参考文献： “参考文献”四字四号宋体，参考文献内容五号宋体，其中英文 用五号 Times New Roman 体。 具体书写式样如下： III- Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光 宋体，小二号，居中 LED 外延片的 MOCVD 生长和性质研究 宋体，五号，对齐居中 专 业： 学 号： 标题：宋体，小五号，两端对齐， 1.35 倍行距 学生姓名： 指导教师： 内容： 中文宋体， 外文字符 Times NewRoman，小四， 两端对齐， 1.35 倍行距 摘要 关键词： “关键词”三字加粗，关键词用“； ”分隔 宽禁带 III －Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大 功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究 GaN基材料生长中 的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度 GaN基 LED外延材料提供科学依据。 本文在自制常压 MOCVD和英国进口 MOCVD系统上对 III －Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的 性能进行了表征。并获得了如下有创新和有意义的研究结果： 1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想， 并在 GaN外延 生长上得以实现。 ,,,, 关键词： 氮化物； MOCVD ； LED ；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱 study on MOCVD growth and properties of III- Ⅴ Times NewRoman，小二