半导体物理：第6章 p-n结.pdfVIP

第六章第六章pp--nn 结结 §6.1平衡p-n结的特性 §6.2 p-n结电流电压特性 §§66.33 pp-nn结电容结电容 P N §6.4 p-n结击穿 §6.5 p-n结隧道效应 半导体物理 1 §§66.11 平衡时平衡时p-n结的特性结的特性 1. p-n结的形成和杂质分布 2. 空间电荷区 33. pp-nn结能带图结能带图 4. p-n结的接触电势差 5. p-n结的载流子分布 半导体物理 2 6.1.1.6.1.1. pp-nn结的形成和杂质分布结的形成和杂质分布 PP-NN 结结：：半导体的不同导半导体的不同导 电类型的区域的交界面形 成成pp-nn结结。接触晶体界面结构完整接触晶体界面结构完整 两种常用形成pp-n结的典型 工艺方法 合金法合金法：：铝硅合金结铝硅合金结。。突变突变 结(Abrupt junction) 扩散法扩散法：：杂质在高温下扩散杂质在高温下扩散。。 缓变结。(graded junction) （离子注入法） 半导体物理 3 突变结突变结(step(step junction)junction)的杂质分布的杂质分布 突变结突变结： Xxjj , N((x))=NAA A l Xx , N(x)=N n - S i j D xx N A N D p + −n N (x) 突变结 NA NN D NN A nn+ −−pp ND 突变结近似适用于载流子浓度高， x 较浅(xj1um) 的结 XjXj P+ N 半导体物理 4 扩散结扩散结(diffusion(diffusion Junction)Junction)的杂质分布的杂质分布 线性缓变结 B (linear graded 扩散法形成的结的载扩散法形成的结的载 junction) n - S i 流子分布 x N (x)