淀积aa制是安定.pptxVIP

1;9.1 薄膜淀积; 半导体制造中的薄膜淀积是指任何在硅片衬底上通过化学或者物理方法淀积一层膜的工艺。 这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。 淀积膜的材质有二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅或金属，比如铜和难熔金属（如钨），以及金属化合物（如TiN）等。 这类薄膜在半导体制造工艺中广泛用于介质绝缘层，阻挡保护层，栅极，金属互连层，种子层，扩散阻挡层等。 ; 淀积的氮化硅作为阻挡保护层;;;薄膜特性 ; 1）好的台阶覆盖能力 2）填充高的深宽比间隙的能力 3）好的厚度均匀性 4）高纯度和高密度 5）?受控制的化学剂量 6） 高度的结构完整性和低的膜应力 7） 好的电学特性 8） 对衬底材料或下层膜好的粘附性;（1）膜对台阶的覆盖;膜对台阶的覆盖; （2）高的深宽比间隙; 高深宽比的间隙;膜淀积的深宽比;（3） 厚度均匀性;高纯度的膜意味着膜中没有那些会影响到膜质量的化学元素或原子。要避免沾污物（如可动离子沾污）和颗粒。 膜密度也是膜质量的重要指标，它显示了膜层中针孔和空洞的多少。与无孔膜相比，一个多孔的膜的密度会更低，在一些情况下折射率也更小。; （5）化学剂量分析;（6）膜的结构;（7）膜的粘附性;; 第二步聚集成束，也称为岛生长。这些随机方向的岛束依照表面的迁移率和束密度来生长。岛束不断生长，直到第三步即形成连续的膜，这些岛束汇集合并形成固态的薄层并延伸铺满衬底表面。; 薄膜生长的步骤;;;不同淀积方法的应用;9.2 化学气相淀积;化学气相淀积的基本性质;; 的化学过程 CVD过程有5种基本的化学反应 : 1．高温分解 2．光分解 3．还原反应 4．氧化反应 5．氧化还原反应;;;;CVD传输和反应步骤图;;扩散速率沉积速率： 即扩散速率不足以提供足量的反应气体供表面沉积反应的进行，此时的机制为扩散限制（diffusion limited）的或质量传输限制（mass transfer limited），通常发生于高温的时候。;扩散速率沉积速率 通过扩散到达表面的气体量很大，表面反应来不及消化扩散进入的反应物，此时的机制即为表面反应限制（surface reaction limited）的；通常发生于低温时。;; 在CVD中的气流;;在硅片表面的气流;;;;9.3 CVD淀积系统 ;CVD装置原理图;化学气相淀积设备; 各种反应室（反应腔示意图）;;;连续加工的APCVD反应炉; 连续工艺APCVD系统有高的设备产量、优良的均匀性以及制造大直径硅片的能力。APCVD最经常的应用是淀积SiO2和掺杂的氧化硅。传统上这些膜通常作为层间介质、保护性覆盖物或者表面平坦化。; APCVD的问题是：高的气体消耗，并且需要经常清洁反应腔。由于膜也会淀积到传送装置上，因而传送带装置也需要洁净处理（可以是原位洁净，或是在使用中洁净）。APCVD淀积的膜通常台阶覆盖能力差。 ;; LPCVD的应用有：SiO2(做层间介质、浅槽隔离的填充物和侧墙等)；氮化硅（做钝化保护层或掩膜材料）；多晶硅（做栅电极或电阻）；氧化氮化硅（兼有氧化硅和氮化硅的优点，改善了热稳定性、抗断裂能力、降低膜应力）。 ; LPCVD反应腔;LPCVD水平式炉管和垂直式炉管;;;等离子CVD;PECVD应用;高密度等离子体CVD;高密度等离子体淀积腔;淀积－刻蚀－淀积工艺;9.4 介质及其性能;; 线电容C正比与绝缘介质材料的k值。低k值的绝缘介质可以减小芯片总的互连电容，减小RC信号延迟，提高芯片性能，降低功耗。;互连延迟（RC）与特征尺寸的关系 (?m);ULSI互连中具有应用潜力的低K值ILD材料;【例题】;低K绝缘介质的要求; Intel 8层互连工艺;;可用于替代的高K材料;【例题】;器件隔离 MOS器件制造中的器件隔离技术为硅片上的器件提供了电学隔离。隔离技术用来减少或消除在MOS平面制造中的寄生场效应晶体管。 ;;;CMOS;鸟嘴效应SEM剖面图;;二.浅槽隔离工艺* 槽刻蚀1．长隔离氧化层 ;2. 氮化硅淀积  Si3N4 ;3.第三层掩膜(光刻3) “浅槽隔离” ;;;;;;2. 氮化物去除 ;浅槽隔离结构剖面图;9.5 旋涂绝缘介质 ;用SOG填充间隙;9.6 外延 ;硅片上外延