模拟电子电路2章2(XXXX02)西北工业大学.pptxVIP

模拟电子电路2章2(XXXX02)西北工业大学.pptx

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
2.3 二极管;2.3 二极管;2.3.1 晶体二极管的结构类型;二极管的结构示意图;总结;6;2.3.2 晶体二极管的伏安特性曲线;2.3.2 晶体二极管的伏安特性曲线;二极管的伏安特性曲线;(1) 正向特性;(2) 反向特性;在反向区,硅、锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡, 反向饱和电流也很小; 锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较 圆滑,反向饱和电流较大。 ;;2.3.3晶体二极管的参数;3、 反向电流IR;2.4 二极管基本电??及分析方法;2.4 二极管基本电路及分析方法;2.4.1 晶体二极管的模型; 二、恒压模型; 三、折线模型; 三、折线模型;2.4.2 二极管基本应用电路;1、半波整流;2、全波整流;2、全波整流;26;;并联二极管上限幅电路 ; E=0V, 限幅电平为0V。ui>0时二极管导通, uo=0V; ui<0V, 二极管截止, uo=ui。波形如图(a)所示。 0<E<Um, 则限幅电平为+E。ui<E, 二极管截止, uo=ui;ui>E, 二极管导通, uo=E。波形图如图 (b)所示。 -Um<E<0, 则限幅电平为-E, 波形图如图 (c)所示。  ;二极管并联上限幅电路波形关系;并联下限幅电路 ;串联限幅电路;双向限幅电路 ;2.4.2 二极管基本应用电路;三、电平选择电路 ;解:因为ui1和ui2均小于E,所以D1和D2至少有一个导通。 (1)设ui1 ui2,则D1导通,D2截止,uo = ui1, (2)当ui1 ui2,则D2导通,D1截止,uo = ui2; (3)当ui1 = ui2时,D1和D2才同时导通,uo = ui1 = ui2。 (4)功能:电路完成低电平选择,当高、低电平分别代表逻辑1和逻辑0时,就实现了逻辑“与”运算。 ;四、二极管门电路 ;2二极管门电路 ;2.5 特殊二极管;; (1) 稳定电压UZ ——; (2) 最大耗散功率 PZM ——;; 2、电阻的作用一是起限流作用, (1)保护稳压管 (2)当输入电压或负载电流变化时,通过该电阻上电压降的变化起到稳压作用。;三、应用;三、应用;三、应用;;49; 优点: 开关频率高 正向压降低 缺点: 反向击穿电压比较低 ;51;晶体二极管图片;53;;55;3.3.3 晶体二极管的参数;**3.3.3 晶体二极管的温度特性; 温度对二极管伏安特性曲线的影响;**3.3.3 晶体二极管的型号;

文档评论(0)

魏魏 + 关注
官方认证
文档贡献者

教师资格证持证人

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:5104001331000010
认证主体仪征市联百电子商务服务部
IP属地上海
领域认证该用户于2023年10月19日上传了教师资格证
统一社会信用代码/组织机构代码
92321081MA26771U5C

1亿VIP精品文档

相关文档