单电子晶体管及其制造技术.pptVIP

现实的方法 选择适合的材料和缩小库仑岛的尺寸 SET隧道结面积/nmxnm 结电容/aF 临界温度/T 100x100 300 3 30x30 30 30 10x10 3 300 SET单结尺寸与临界温度的关系 第三十页，共52页。 制作能在室温下工作的SET的关键问题 制作或形成均匀的、形状和大小精确可控的极小三维库仑岛； 制作或形成厚度起伏极小的隧道结； 实现各部分的连接； 实现与其他器件的隔离和连接； 与现有硅工艺的兼容性 第三十一页，共52页。 SET研究进展 1988年，MIT的Scott Thomas在200mK下偶然发现了SET现象； IBM的Meirav等采用MBE方法制造了完整的SET，并在4K温度下观测到SET特性； 1997年，美国明尼苏达州大学，斯蒂芬·乔小组研制出在室温下工作的SET； 日立剑桥实验室，由哈鲁·阿迈德小组宣布：一个单电子晶体管首次放大输入的信号，虽然只能放大3.7倍，比传统的晶体管小几百倍； 1999日本NTT公司研究成功了使用多个单电子晶体管构成的电子计算机逻辑电路，这种电路经过改进，可用于制造高性能的PC和便携式通信终端设备。 第三十二页，共52页。 国内SET研究进展 1999年，北大纳米研究中心成功地构造了“单分子隧道结/纳米岛”结构 ，不仅将au、cds纳米粒子组装在站立于基底的线状分子上，而且还可组装