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实验十四 螺线管磁场的测量 实验十四 螺线管磁场的测量 随着科学技术的发展， 由高电子迁移率的半导体制成的霍耳传感器已广泛应用于磁场测 量，它测量灵敏度高，体积小， 易于在磁场中移动和定位，本实验用集成霍耳传感器测量通 电螺线管内直流电流与霍耳传感器输出电压之间关系， 证明霍耳电势差与螺线管内磁感应强 度成正比；用通电长直螺线管中心点磁感应强度理论计算值作为标准值来校准集成霍耳传感 器的灵敏度；并介绍了集成霍耳传感器的组成和特性。 【实验目的 】 1. 掌握用集成霍耳元件测量磁感应强度的原理和方法。 2. 熟悉集成霍耳传感器的特性和应用。 3. 测量通电螺线管内的磁感应强度与位置刻度之间的关系，作出磁感应强度与位置的 关系图。 【实验仪器】 螺线管磁场测定实验仪器如图 l 所示，它由带有集成霍耳传感器探测棒的螺线管、直 流稳流电源 (0mA～ 500rnA) 、直流稳压电源 ( 输出两挡： 4 ．8V～ 5．2V 和 2 ．4V～2 ．6V) 、数 字电压表 ( 测量范围两挡： 0V～20V 和 0mV～20mV)、单刀换向开关 S1、双刀换向开关 S2 以 及导线若干等组成。 图 14-1 霍耳传感器 螺线管磁场测定实验仪 【实验原理】 霍耳传感器是利用霍耳效应制成的传感器。霍耳效应的作用如图 2 所示。若电流 I 流过厚度为 d 的半导体薄片， 且磁场 B 垂直作用于该半导体， 则电子流方向由于洛伦兹 力作用而发生改变，在薄片两个横向面 a 、b 之间应产生电势差，这种电势差称为霍耳 电势差，通常用 U 表示。霍耳效应的数学表示式为 H 1 实验十四 螺线管磁场的测量 RH U H ( ) IB K H IB (14-1) d 式中： R 是由半导体本身电子迁移率决定的物理常数，称为霍耳系数； B 为磁感应强 H 度； I 为流过霍耳元件的电流； K H 称为霍耳元件灵敏度。 虽然从理论上讲霍耳元件在无磁场作用 (B=0) 时， U =0，但是实际情况用数字电 H 图 14-2 霍耳效应 压表测并不为零， 这是由于半导体材料结晶不均匀、 各电极不对称等引起附加电势差， 该电 势差 U 0 称为剩余电压。 随着科技的发展， 新的集成霍耳元件不断被研制成功。 本实验采用的 SS95A型集成霍耳 传感器是一种高灵敏度集成霍耳传感器， 它由霍耳元件、 放大器和薄膜电阻剩余电压补偿器 组成。测量时输出信号大，并且剩余电压的影响已被消除。 一般的霍耳元件有 4 根引线， 两根为输入霍耳元件电流的“电流输入端”， 接在可调的 电源回路内，另两根为霍耳元件的“霍耳电压输出端” ，接到数字电压表上。 对 SS95A型集成霍耳传感器而言，它只有 3 根引线，分别是“ V ”、“ V ”、“ 0 ”。 其中“ V V