电磁屏蔽膜创新基金申请参考（项目技术及可行性分析）.docVIP

二、项目技术方案与创新性 （一）、项目总体技术概述 1、总体技术方案 项目所依据的技术原理 电磁屏蔽是电磁兼容技术的主要措施之一。即用金属屏蔽材料将电磁干扰源封闭起来，使其外部电磁场强度低于允许值的一种措施；或用金属屏蔽材料将电磁敏感电路封闭起来，使其内部电磁场强度低于允许值的一种措施。 屏蔽就是对两个空间区域之间进行金属的隔离，以控制电场、磁场和电磁波由一个区域对另一个区域的感应和辐射。具体讲，就是用屏蔽体将元部件、电路、组合件、电缆或整个系统的干扰源包围起来，防止干扰电磁场向外扩散；用屏蔽体将接收电路、设备或系统包围起来，防止它们受到外界电磁场的影响。因为屏蔽体对来自导线、电缆、元部件、电路或系统等外部的干扰电磁波和内部电磁波均起着吸收能量（涡流损耗）、反射能量（电磁波在屏蔽体上的界面反射）和抵消能量（电磁感应在屏蔽层上产生反向电磁场，可抵消部分干扰电磁波）的作用，所以屏蔽体具有减弱干扰的功能。 （1）当干扰电磁场的频率较高时，利用低电阻率的金属材料中产生的涡流，形成对外来电磁波的抵消作用，从而达到屏蔽的效果。（2）当干扰电磁波的频率较低时，要采用高导磁率的材料，从而使磁力线限制在屏蔽体内部，防止扩散到屏蔽的空间去。（3）在某些场合下，如果要求对高频和低频电磁场都具有良好的屏蔽效果时，往往采用不同的金属材料组成多层屏蔽体。 本项目采用的是公司自主研发成果，见附件中发明专利‘可改变电路阻抗的极薄屏蔽膜、电路板以及制作方法’。(申请日期2008年12月25日，申请号码:2008102203378) 主要技术与性能指标 剥离强度满足7N/cm。 厚度15微米至30微米不等。满足10万次的弯折寿命要求。 能耐受高温288摄氏度、10秒、5次热冲击。 屏蔽效能大于50dB。 网格大小的设计研究。可以满足通常单线阻抗为50欧姆，差分阻抗为100欧姆。 （采用IPC-TM-650测试方法）。 项目实现的质量标准类型、标准名称 国际印制电路 IPC挠性弯折测试方法 国际印制电路 IPC屏蔽效能测试方法 国际印制电路 IPC-TM-650测试方法手册 2、项目创新内容： （1）创新点： 理论创新 根据客户信号的传输频率，采用独特的网格设计方式，在完成屏蔽的同时，实现了对产品的阻抗控制。对于该创新的具体内容，可以参考发明专利‘可改变电路阻抗的极薄屏蔽膜、电路板以及制作方法’。实现真正意义上的功能挠性电路板。 技术创新 屏蔽效能高达80dB。 可调屏蔽膜的阻抗。 极薄，高耐弯曲性 耐温、耐药品性。 工艺创新 采用最新半导体技术制取屏蔽合金层 结构创新 与目前市场上日本屏蔽膜的结构形式完全不同。 1、日本是采用真空沉积形成0.15微米的单一金属导电层，本项目采用真空溅射形成可达1微米以上的由不同金属复合的导电层，更好的导电能力，加上不同金属各自的屏蔽特性叠加，本项目产品的屏蔽效果更好。 2、日本采用实心的单一金属屏蔽层，本项目根据客户信号的传输频率，采用独特的网格设计方式，在完成屏蔽的同时，实现了对产品的阻抗控制，为下游客户挠性电路板阻抗控制提供了的低成本解决方案。 本项目个别型号产品的总厚度可以做到15微米以下，远远低于目前市场上22微米厚度，极大提高了弯折性能。 （2）通过本项目实施，企业新获得的相关证书情况（验收指标） 通过本项目实施，企业新获得的相关证书情况 质量认证体系证书 国家相关行业许可证 专利证书 技术、产品鉴定证书 产品测试报告 其他 申请高新企业认定 注释：该指标为验收考核指标。 （二）、项目技术开发可行性 1、项目技术现状 国内外相关技术的研究、开发现状 目前国内尚未见有与本项目类似的产品出现。国外产品有日本拓自达及东洋公司生产的用于挠性电路板的屏蔽膜产品，但其从生产技术上及材料结构上均与本项目不同。 日本公司在中国申请的发明专利名称为：屏蔽膜、屏蔽印刷电路板、屏蔽柔性印刷电路板、屏蔽膜制造方法及屏蔽印刷电路板制造方法，申请日为：2006.5.10、公开号为CN101176388A。其屏蔽膜包括：分离膜；覆膜，设于该分离膜的一个表面上；以及粘合层，其通过金属层形成于与该分离膜相对的该覆膜的表面上。采用逐级印刷的方式形成。虽然能够满足电磁屏蔽的作用，但是由于其制造工艺的局限以及设计方面的缺陷，远远满足不了现在高频和高速对功能挠性电路板的需求。主要缺陷表现在： 外层的绝缘层很薄，而且绝缘层与屏蔽层的剥离强度较低； 在多次压合工艺的过程中容易出现分层现象； 在具有一定台阶的软硬结合板结构中内部的金属层容易断裂而起不到屏蔽同时接地的效果； 由于其形成的导体层为极薄的实心金属层，对于挠性电路板产品，其屏蔽效能只能满足大于40dB要求，难以满足欧美大厂大于60dB屏蔽要求（至今没有被诺基亚认可）； 对于有阻抗控制的挠性电路板，需要较厚