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- - 第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压， R 才能保证其 大的特点。（ ） GS （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U 大于零，则其输入电阻会明显变小。 GS （ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6） × 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 . .可修编. . - - U （2）设二极管的端电压为 ，则二极管的电流方程是 。 A. IeU B. I eU UT C. S S UU I (e －1) T S （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前 者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 GS A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解： （1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U ＝0.7V。 D . .可修编. . -