3.4.2CMOS非门及电压传输特性.pdfVIP

第三章 逻辑门电路 目 M 录 3.1 3.1 E 二极管与三极管的开关特性 U N 3.2 3.2 二极管与三极管门电路 3.3 3.3 TTL逻辑门电路 3.4 3.4 MOS逻辑门电路 3.5 3.5 集成门电路的应用 3.6 3.6 两种有效电平及两种逻辑符号 CMOS非门及电压传输特性 CMOS逻辑门电路是由N沟道MOSFET和P沟道 MOSFET互补而 。 1 ．逻辑关系 ： （设V ＞（V +| V | ），且V =| V | ） DD TN TP TN TP （1 ）当V =0V时 ，T 截止 ，T 导通。输出V ≈ V 。 i N P O DD （2 ）当V = V 时 ，T 导通 ，T 截止 ，输出V ≈0V。 i DD N P O 2 ．电压传输特性 ： （设: V =10V ， V =| V |=2V ） DD TN TP （1 ）当V ＜2V ，T 截止 ，T 导通 ， i N P V ≈ V =10V。 o DD （2 ）当2V ＜V ＜5V ，T 工作在饱和区 ，T 工作 i N P 在可变电阻区。 T 导通更充分 ，等效电阻小于T ，输出电压大于5V P N （3 ）当V =5V ，两管都工作在饱 i 和区 ，V = （V /2 ）=5V。 o DD （4 ）当5V ＜V ＜8V ， i T 工作在饱和区 ， P T 工作在可变电阻区。 N （5 ）当V ＞8V ，T 截止 ， i P T 导通 ，V =0V。 N o CMOS门电路的阈值电压 V = V /2 th DD 3 ．工作速度 于CMOS非门电路工作时总有一个管子导通 ， 于CMOS非门电路工作时总有一个管子导通 ， 所以当带电容负载时 ，给电容充电和放电都比较 所以当带电容负载时 ，给电容充电和放电都比较 快。CMOS非门的平均传输延迟时间约为10ns。 快。CMOS非门的平均传输延迟时间约为10ns。 4 ．保护电路 原因 ： 原因 ： 于MOS管的栅极和衬底之间存在着以SiO 为 于MOS管的栅极和衬底之间存在着以S